第二十六屆中國國際光電博覽會（CIOE 2025）在深圳國際會展中心（寶安新館）圓滿落幕。作為全球光電領域最具影響力的綜合性展會之一，本屆博覽會吸引了來自40余個國家和地區的近4000家企業參展，覆蓋信息通信、精密光學、激光技術及智能制造等核心產業板塊。

青禾晶元在本屆展會上重點展示了面向光電集成領域的先進鍵合工藝與系統解決方案。通過實物演示與技術白皮書，企業向全球專業觀眾呈現了針對高功率激光器散熱、硅光芯片集成、共封裝光學（CPO）等場景的定制化技術，其中超高真空室溫鍵合技術因能顯著降低界面熱阻而備受關注。

展會期間，青禾晶元技術團隊與來自英特爾、臺積電等企業的技術專家及中科院、清華大學的科研人員展開多場深度交流。在光電集成材料研討會現場，企業研發人員通過三維動畫演示了混合鍵合工藝實現±100nm級互聯精度的技術原理，該方案已通過某頭部數據中心的光模塊驗證測試。

在高性能光電子集成芯片前沿技術論壇上，集團副總經理劉福超系統分析了鍵合材料界面應力控制、異質材料熱膨脹系數匹配等產業痛點。他提出的"梯度過渡層設計"方案，結合企業自主研發的等離子體活化鍵合設備，可將硅基與氮化鎵材料的鍵合強度提升至15J/m2以上，該數據引發與會者熱烈討論。

集團副總經理郭超博士在SEMI-e技術研討會上，首次公開了企業在3D異構集成領域的突破性進展。其團隊開發的低溫臨時鍵合技術，可將12英寸晶圓減薄至50μm以下時良率提升至99.2%，該工藝已在某先進制程芯片封裝線完成量產驗證。現場展示的鍵合界面顯微照片顯示，采用特殊親水性涂層處理的晶圓接觸角可控制在5°以內。

技術展區吸引了大批專業觀眾駐足，某歐洲光通信企業技術總監在體驗實時鍵合強度檢測系統后表示："這種非破壞性檢測方案能將產品開發周期縮短40%，我們正在評估其應用于800G光模塊生產的可行性。"據統計，三天展期內青禾晶元共接待技術咨詢327批次，達成初步合作意向46項。

針對光電集成產業的技術演進趨勢，企業同步發布了《異質集成白皮書》，提出"材料-工藝-裝備"三位一體的發展路徑。書中披露的研發路線圖顯示，2026年將推出支持20層堆疊的混合鍵合設備，2027年實現玻璃通孔（TGV）與硅轉接板的低溫鍵合工藝量產。