全球存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域迎來(lái)重大突破，SK海力士正式宣布完成新一代HBM4內(nèi)存的研發(fā)工作，并已具備大規(guī)模量產(chǎn)能力。這款采用1bnm（第五代10nm級(jí)）工藝制造的內(nèi)存產(chǎn)品，憑借其2048-bit的I/O接口位寬與單針腳10Gbps的傳輸速率，實(shí)現(xiàn)了單顆2.5TB/s的驚人帶寬，較JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求的8Gbps帶寬提升顯著。

據(jù)技術(shù)團(tuán)隊(duì)介紹，HBM4內(nèi)存通過(guò)SK海力士自主研發(fā)的MR-MUF封裝技術(shù)，在提升性能的同時(shí)優(yōu)化了功耗表現(xiàn)。在AI計(jì)算場(chǎng)景中，該產(chǎn)品可帶來(lái)最高69%的性能提升，這對(duì)于需要處理海量數(shù)據(jù)的深度學(xué)習(xí)模型訓(xùn)練具有重要價(jià)值。目前關(guān)于堆疊層數(shù)和單顆容量的具體參數(shù)尚未公布，但業(yè)內(nèi)推測(cè)可能采用最高12層堆疊設(shè)計(jì)。

面對(duì)SK海力士的技術(shù)突破，三星電子也在加速推進(jìn)HBM4的研發(fā)進(jìn)程，試圖在高端存儲(chǔ)市場(chǎng)占據(jù)更多份額。作為AI基礎(chǔ)設(shè)施的核心組件，HBM4內(nèi)存已成為NVIDIA、AMD、Intel等科技巨頭的戰(zhàn)略焦點(diǎn)。其中NVIDIA下一代Rubin架構(gòu)GPU預(yù)計(jì)將集成288GB HBM4內(nèi)存，而AMD Instinct MI400系列更將內(nèi)存容量推升至432GB，配合19.6TB/s的帶寬，可滿足超大規(guī)模AI模型的運(yùn)算需求。

行業(yè)分析師指出，HBM4內(nèi)存的技術(shù)演進(jìn)將推動(dòng)AI硬件進(jìn)入全新發(fā)展階段。其超高的帶寬和容量特性，不僅能加速大語(yǔ)言模型的訓(xùn)練效率，還將為自動(dòng)駕駛、科學(xué)計(jì)算等需要實(shí)時(shí)處理海量數(shù)據(jù)的領(lǐng)域提供關(guān)鍵支持。隨著主要廠商陸續(xù)完成技術(shù)布局，2025年有望成為HBM4內(nèi)存的商用元年。