高通近日向德國科技媒體ComputerBase證實，其面向Windows on Arm生態的旗艦級處理器平臺驍龍X2 Elite Extreme，創新性地融合了臺積電兩種3納米級制程工藝。這一技術突破使得該芯片在性能與能效之間實現了微妙平衡，為移動計算設備樹立了新的技術標桿。
作為全球首款突破5GHz主頻的Arm架構處理器，驍龍X2 Elite Extreme采用18核混合架構設計，其中包含12個Prime性能核心與6個Performance能效核心。特別值得注意的是，兩個Prime核心可通過動態加速達到5GHz的峰值頻率，這一設計顯著提升了單線程性能表現。
為實現這種極致性能與續航的雙重優化，高通工程師采取了分體式制程策略：芯片主體采用臺積電N3P工藝制造，而負責高頻運算的核心模塊則應用了允許更高工作電壓的N3X工藝。這種組合方式雖然導致N3X工藝部分的漏電流有所增加，但通過精準的工藝分配，成功在峰值性能輸出與整體能效控制之間找到了最佳平衡點。
支撐這種創新設計的核心技術是臺積電的FinFlex工藝平臺，該技術允許在同一芯片設計中靈活組合3納米制程家族的不同工藝變體。通過這種單芯片多工藝集成方案，高通既保證了高頻核心的極致性能釋放，又維持了其他核心模塊的能效優勢，為移動計算設備提供了更靈活的性能調校空間。
行業分析師指出，這種分體式制程應用代表了半導體設計的新趨勢。相比傳統單一工藝方案，混合制程設計能夠更精準地匹配不同計算單元的性能需求，特別適用于需要兼顧瞬時爆發性能與持續續航能力的移動設備場景。
