在半導體設備領域，中微公司憑借其高端半導體設備和泛半導體設備業務，已成為行業備受矚目的企業之一。該公司業務范圍廣泛，涵蓋集成電路制造、封裝設備、MEMS設備等多個領域，尤其在刻蝕設備和薄膜設備等半導體前道核心設備方面展現出強大的技術實力。這些設備的技術門檻極高，而中微公司通過持續創新，逐步確立了行業領先地位。

中微公司成立于2004年，雖然運營時間不長，但發展速度令人矚目。2007年，公司成功研發出首臺CCP刻蝕設備，這一突破成為其技術進步的重要轉折點。此后，公司每隔一段時間便推出新設備：2011年推出45納米介質刻蝕設備，2013年推出22納米介質刻蝕設備，2015年實現等離子體刻蝕機量產，2016年推出ICP刻蝕設備產品，2017年進入7納米生產線。憑借這些技術成果，中微公司于2019年成為科創板首批上市公司之一。

中微公司的核心產品包括刻蝕設備、薄膜設備和MOCVD設備。其中，刻蝕設備已覆蓋國內95%以上的刻蝕應用需求，并在5納米及更先進制程領域實現規模量產。公司自主研發的ICP雙臺機刻蝕精度高達每分鐘0.02納米，CCP雙臺機已有超過600個反應臺在國際先進邏輯產線上量產。薄膜設備方面，LPCVD和ALD薄膜設備近兩年研發成功，市場認可度持續提升，LPCVD薄膜設備累計出貨量已突破100個反應臺。

半導體設備行業存在兩條發展路徑：一是覆蓋全產業鏈的“多而廣”模式，二是聚焦核心領域的“少而精”模式。北方華創選擇了前者，甚至布局光刻領域；中微公司則專注于后者，將部分技術研發推向極致。公司董事長尹志堯曾表示：“與美國打官司，我們從未輸過。”這一底氣源于公司強大的自主研發能力。盡管半導體領域專利侵權現象普遍，但中微公司歷年訴訟均以勝訴或和解告終，充分證明了其技術實力。

高端技術領域，專利數量與研發投入密不可分。中微公司在研發方面毫不吝嗇，費用逐年增長。今年上半年研發費用已達11億元，接近去年全年水平；去年研發投入24.5億元，占總營收的27%；今年上半年研發投入15億元，且仍在增加。高研發投入使公司新設備研發周期縮短至2年以內，在高端設備領域形成顯著優勢。

當前，國內芯片制造環節仍被國外企業主導，檢測設備國產率不足5%，國產替代空間巨大。中微公司將檢測設備列為重點研發項目之一，旨在突破這一瓶頸。從公司發展軌跡來看，其技術實力和市場拓展能力均具備較強競爭力，未來業績增長動力充足。

過去五年，中微公司營收呈現快速增長態勢：2020年營收不足23億元，去年已達90億元，今年有望突破百億元。近十年來，公司年均營收增速超過35%，在行業中表現優異。按照規劃，中微公司目標在2030年躋身全球半導體設備企業第一梯隊，與國際巨頭比肩。