在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化浪潮中，帝科股份正以技術(shù)突破為利刃，向國際巨頭壟斷的核心領(lǐng)域發(fā)起沖鋒。通過聚焦功率半導(dǎo)體封裝漿料與汽車電子漿料兩大戰(zhàn)略方向，企業(yè)已形成對德國漢高、賀利氏及美國alpha等國際品牌的替代能力，在關(guān)鍵材料環(huán)節(jié)實現(xiàn)自主可控。

2024年戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型迎來關(guān)鍵突破，帝科股份引入深耕存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域二十余年的技術(shù)團(tuán)隊，成功切入DRAM存儲芯片設(shè)計開發(fā)賽道。該團(tuán)隊長期從事存儲芯片應(yīng)用方案設(shè)計與技術(shù)優(yōu)化，其積累的專利技術(shù)集群覆蓋從架構(gòu)設(shè)計到封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，為打破國外技術(shù)壁壘奠定基礎(chǔ)。

此次技術(shù)突圍具有雙重戰(zhàn)略價值：在材料端，自主開發(fā)的低溫固化銀漿等封裝材料，可將芯片散熱效率提升30%，解決高算力場景下的可靠性難題；在器件端，新團(tuán)隊研發(fā)的存儲控制器架構(gòu)，使數(shù)據(jù)讀寫延遲降低至行業(yè)平均水平的60%，精準(zhǔn)匹配AI訓(xùn)練、5G基站等對實時性要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。

據(jù)內(nèi)部人士透露，企業(yè)已與三家頭部存儲模組廠商達(dá)成合作，首批采用國產(chǎn)材料的DDR5內(nèi)存條將于年底量產(chǎn)。該產(chǎn)品通過優(yōu)化金屬顆粒粒徑分布，使焊接良率從92%提升至98%，每萬片芯片封裝成本下降17%，展現(xiàn)出顯著的性價比優(yōu)勢。

隨著自動駕駛、大數(shù)據(jù)中心等新基建項目加速落地，國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模預(yù)計2025年突破6000億元。帝科股份通過材料-器件協(xié)同創(chuàng)新模式，不僅構(gòu)建起從封裝材料到存儲芯片的完整技術(shù)鏈條，更在長三角地區(qū)形成覆蓋設(shè)計、制造、封測的產(chǎn)業(yè)集群，為構(gòu)建自主可控的半導(dǎo)體生態(tài)提供關(guān)鍵支撐。