據(jù)韓國科技媒體ETNews最新披露，英偉達(dá)已正式終止第一代SOCAMM（系統(tǒng)級芯片附加內(nèi)存模塊）的市場推廣計劃，轉(zhuǎn)而集中資源推進(jìn)第二代產(chǎn)品SOCAMM2的研發(fā)進(jìn)程。此次戰(zhàn)略調(diào)整主要針對AI服務(wù)器領(lǐng)域?qū)?nèi)存模塊提出的更高性能需求，旨在通過技術(shù)迭代進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品競爭力。

作為面向AI服務(wù)器設(shè)計的創(chuàng)新內(nèi)存方案，SOCAMM技術(shù)自公布以來便引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。該技術(shù)核心目標(biāo)在于提供與HBM（高帶寬內(nèi)存）相當(dāng)?shù)男阅鼙憩F(xiàn)，同時通過架構(gòu)優(yōu)化顯著降低制造成本。在英偉達(dá)此前發(fā)布的產(chǎn)品技術(shù)文檔中，GB300 NVL72規(guī)格明確顯示支持最高18TB容量的LPDDR5X內(nèi)存模塊，帶寬指標(biāo)達(dá)到14.3TB/s，展現(xiàn)出在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的巨大應(yīng)用潛力。

據(jù)知情人士透露，第一代產(chǎn)品推廣暫停的主要原因是技術(shù)實(shí)現(xiàn)層面存在待優(yōu)化環(huán)節(jié)。目前英偉達(dá)已啟動SOCAMM2的工程驗證階段，全球三大內(nèi)存制造商均參與樣機(jī)測試工作，為后續(xù)量產(chǎn)做技術(shù)儲備。新一代產(chǎn)品在關(guān)鍵指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)突破，數(shù)據(jù)傳輸速率從8533MT/s提升至9600MT/s，運(yùn)算效率得到顯著增強(qiáng)。

值得關(guān)注的是，SOCAMM2可能引入對LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的支持，但該特性尚未獲得供應(yīng)商最終確認(rèn)。這項潛在升級若能實(shí)現(xiàn)，將使內(nèi)存模塊在能效比和集成度方面達(dá)到新高度，不過具體技術(shù)參數(shù)仍需等待官方進(jìn)一步披露。

在市場競爭格局方面，美光科技憑借先發(fā)優(yōu)勢占據(jù)有利地位。該公司于今年3月率先向數(shù)據(jù)中心客戶交付SOCAMM產(chǎn)品，成為該領(lǐng)域首個實(shí)現(xiàn)商業(yè)化供應(yīng)的廠商。相比之下，三星電子和SK海力士原計劃于2025年第三季度啟動量產(chǎn)，此次英偉達(dá)技術(shù)路線調(diào)整為兩家韓國企業(yè)提供了追趕窗口。業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，這種競爭態(tài)勢將促使內(nèi)存廠商加速技術(shù)迭代，推動AI服務(wù)器內(nèi)存市場形成更活躍的創(chuàng)新生態(tài)。