盡管在EUV光刻機領域未能占據主導地位，日本仍穩居全球第二大光刻設備供應商行列。近年來，日本企業持續加大研發力度，試圖通過技術革新開辟新路徑，其中NIL納米壓印技術成為重點突破方向。這一技術路線被視為替代EUV光刻的潛在方案，吸引了多家日本企業的深度參與。
日本大日本印刷株式會社（DNP）近日宣布，其研發的10nm精度NIL納米壓印技術取得重大進展。該技術通過直接在基板上壓印電路圖案，可應用于1.4nm工藝邏輯芯片的曝光環節。與傳統光刻技術相比，NIL方案在制造流程上更具靈活性，尤其適合高精度芯片生產需求。
技術實現層面，DNP采用SADP自對準雙重圖案技術，通過單次曝光配合雙重圖案化工藝，實現芯片制造精度的翻倍提升。這種創新方法不僅滿足先進制程對精度的嚴苛要求，更在能耗控制方面表現突出。據企業披露，該技術能耗僅為現有主流工藝的十分之一，為芯片制造提供了顯著的節能優勢。
作為深耕NIL領域超過二十年的企業，DNP的技術積累已形成獨特競爭力。其當前研發成果可部分替代EUV光刻功能，為芯片制造商提供差異化工藝選擇。目前，該公司正與多家硬件供應商開展技術評估合作，通過實際測試驗證技術可行性。
根據規劃，DNP將在完成客戶驗證流程后，著手建立量產體系與供應鏈網絡。預計到2027年，這項突破性技術將正式進入商業化量產階段，為全球半導體產業提供新的制造解決方案。這一進展標志著日本企業在高端芯片制造設備領域持續保持技術創新能力。
