近日，鎵創未來半導體科技（晉江）有限公司（以下簡稱“鎵創未來”）宣布完成千萬級天使輪融資，投資方涵蓋聚卓資本旗下的晉江人才科創基金、芯豐澤半導體及個人投資者。本輪資金將主要用于提升氧化鎵外延片產能，加速第四代半導體材料的產業化落地進程。

鎵創未來成立于2025年7月，專注于第四代超寬禁帶半導體材料——氧化鎵外延片的研發與產業化。公司創始人團隊均擁有微電子學與固體電子學博士學位，自2015年起便投身于寬禁帶半導體碳化硅和氧化鎵材料與器件的研究，在材料外延生長、摻雜及器件制備等全產業鏈環節積累了近十年的經驗。目前，公司已具備異質外延片的小批量生產能力。

氧化鎵作為第四代半導體材料，憑借其超寬禁帶、高擊穿電場等特性，被視為理想的功率半導體材料。據鎵創未來創始人介紹，氧化鎵的禁帶寬度達4.9eV，遠超碳化硅的3.3eV和氮化鎵的3.4eV；其臨界擊穿電場高達8MV/cm，是碳化硅的三倍多；巴利加優值達到3444，分別是氮化鎵的4倍和碳化硅的10倍。這些參數表明，氧化鎵在功率器件應用中具有極低的導通損耗，功率損耗僅為碳化硅的1/7、硅的1/49，對提升能源轉換效率具有重要意義。

功率轉換效率的提升對新能源汽車、光伏逆變器等領域的應用至關重要。同時，氧化鎵在日盲紫外波段的響應特性填補了市場空白，并有望拓展至3000V以上的超高壓應用場景。然而，氧化鎵的產業化進程長期面臨襯底成本高、外延供應不足、材料性能局限等挑戰。例如，目前氧化鎵襯底生長需使用銥坩堝，導致國產2英寸氧化鎵襯底價格高達2萬元左右，是同尺寸碳化硅價格的40余倍，嚴重制約了其產業化發展。

在外延環節，國內產業尚處于早期階段，現有產品存在尺寸小、厚度薄、遷移率低等問題，影響了產品成本、集成度、耐壓可靠性及能效等指標。氧化鎵的p型摻雜技術仍是行業公認難題，且材料本身的熱導率較低，進一步限制了其性能發揮。

為突破這些技術瓶頸，鎵創未來采取了兩條關鍵路徑：一是通過異質外延技術，在碳化硅、藍寶石、硅等成熟商業化襯底上生長氧化鎵，將材料成本降低10倍以上；二是自主研發HVPE設備，實現大尺寸、厚膜、高遷移率的外延片生產，并在寬摻雜濃度范圍等關鍵性能指標上取得突破。

鎵創未來的核心產品包括氧化鎵同質外延片及異質外延片，涵蓋藍寶石基、碳化硅基和硅基氧化鎵外延片，可滿足不同應用場景的需求。目前，公司已與二十余家科研機構建立合作關系，并與多家半導體客戶簽訂采購合同。

在應用場景方面，氧化鎵器件主要面向電力電子與光電探測兩大領域。在電力電子領域，可覆蓋新能源汽車（快充樁、OBC、主逆變器）、光伏逆變器及650V-3300V中高壓工業電源等場景；在光電探測領域，依托其日盲紫外響應特性，可廣泛應用于電網監測、消防預警、海上搜救等場景。基于市場需求，鎵創未來重點聚焦高價值賽道：功率器件端主攻新能源汽車800V以上高壓平臺車載充電器、快充樁及AI數據中心工業電源等場景；光電器件端則聚焦日盲紫外探測、深紫外光源及光通信器件等應用方向。

據市場調查公司富士經濟預測，2030年氧化鎵功率元件的市場規模將達到碳化硅的36%，甚至超過氮化鎵功率元件的規模。然而，目前氧化鎵半導體材料仍處于從實驗室走向產業化的早期階段，需適配研發體系與市場導入策略。鎵創未來采取分階段推進策略：初期重點服務高校和科研院所，進行材料研究和器件開發；后續拓展與器件設計公司和IDM廠商的深度合作，推動產品在工業領域的應用；最終目標是隨著技術和市場的成熟，規模化進入新能源汽車、工業電源和光伏等主流市場。

產線建設方面，鎵創未來一期項目已于2025年7月啟動，并在晉江集成電路產業園落成超凈間，主要用于氧化鎵同質和異質外延產品的批量生產，為后續市場拓展提供產能保障。