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長飛先進(jìn)武漢基地,總投資超200億,首片碳化硅晶圓成功下線!

   時間:2025-05-28 18:15:05 來源:ITBEAR編輯:快訊團(tuán)隊 發(fā)表評論無障礙通道

近日,長飛先進(jìn)武漢基地迎來了一個歷史性的時刻——總投資超過200億元的項目成功下線了首片晶圓。這座基地內(nèi),矗立著國內(nèi)首座全面智能化的碳化硅器件制造標(biāo)桿工廠,其一期產(chǎn)能規(guī)劃頗為壯觀,預(yù)計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓及外延片各達(dá)36萬片,同時還將生產(chǎn)6100萬個功率模塊。

這批高精尖產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁及電力電網(wǎng)等多個領(lǐng)域。碳化硅,作為第三代半導(dǎo)體的代表,憑借其寬禁帶、高擊穿電場強(qiáng)度及高熱導(dǎo)率等獨(dú)特優(yōu)勢,在眾多應(yīng)用場景中大放異彩。

特別是在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅器件的應(yīng)用將使主驅(qū)逆變器重量減輕40%、體積縮小30%、功率密度提升25%,并顯著提高能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)10%,進(jìn)而降低電池成本。而在充電樁領(lǐng)域,相較于傳統(tǒng)的硅基充電模塊,碳化硅基模塊能將續(xù)航200公里的充電時間從120分鐘大幅縮短至7分鐘。

長飛先進(jìn)武漢晶圓廠負(fù)責(zé)人李剛透露,新能源汽車的主驅(qū)逆變器堪稱其“心臟”,以往這一關(guān)鍵部件的碳化硅芯片主要依賴進(jìn)口。而長飛先進(jìn)武漢基地投產(chǎn)后,將有效實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代,一期產(chǎn)能即可滿足120萬輛新能源汽車的需求。

該基地還構(gòu)建了全方位、全產(chǎn)業(yè)鏈的實(shí)驗(yàn)室體系,涵蓋材料研究、化學(xué)分析、可靠性測試、失效分析、產(chǎn)品特性評估及產(chǎn)品應(yīng)用等多個環(huán)節(jié),旨在打造一個集芯片設(shè)計、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造高地。

長飛先進(jìn)武漢基地坐落于光谷科學(xué)島,占地面積廣闊,達(dá)498畝,其中一期項目已投產(chǎn),占地344畝。隨著杉數(shù)科技、此芯科技、君原電子等多家企業(yè)的入駐,光谷正逐步成為集成電路產(chǎn)業(yè)的重要聚集地,吸引了眾多研發(fā)機(jī)構(gòu)及生產(chǎn)線的設(shè)立。

不僅如此,長飛先進(jìn)在安徽蕪湖也設(shè)有關(guān)鍵制造基地,專注于碳化硅芯片的研發(fā)與應(yīng)用,年產(chǎn)量可達(dá)6萬片6英寸碳化硅晶圓。業(yè)內(nèi)人士指出,碳化硅作為引領(lǐng)新能源等領(lǐng)域的“下一代功率半導(dǎo)體”,正迎來其發(fā)展的“黃金時期”,第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用市場前景廣闊,對于提升國際競爭力具有重大意義。

光谷,作為光電子信息產(chǎn)業(yè)的核心區(qū)域,集成電路產(chǎn)業(yè)已成為其主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一。圍繞集成電路布局,光谷已建立起涵蓋核心設(shè)備、零部件、關(guān)鍵原材料、EDA軟件、晶圓制造、封測、模組等在內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈,成為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的重要集聚區(qū),相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)模已突破800億元大關(guān)。

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