揚杰科技近日宣布，其SiC車規級功率半導體模塊封裝項目于5月9日正式破土動工。該項目總投資額高達10億元人民幣，占地面積約為62畝，并規劃有超過11.2萬平方米的建筑面積。此次項目的核心在于開發車規級框架式和塑封式IGBT模塊，以及SiC MOSFET模塊等，這些均屬于第三代半導體產品的范疇。

該項目旨在通過與國際標桿企業對標，將產品技術指標提升至接近國際領先水平，從而實現進口產品的國產替代。此舉不僅展示了揚杰科技在半導體技術領域的深厚積累，也體現了其在推動國內半導體產業自主可控發展方面的堅定決心。

揚杰科技的這一舉措，無疑將對國內半導體產業的發展產生深遠影響。隨著新能源汽車產業的蓬勃發展，對高性能功率半導體模塊的需求日益增長。此次項目的實施，將有助于提高國內在該領域的自給率，降低對進口產品的依賴，進一步推動國內半導體產業的蓬勃發展。