全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)迎來(lái)重大突破，SK海力士與英偉達(dá)就新一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）達(dá)成供應(yīng)協(xié)議。這款專(zhuān)為AI計(jì)算設(shè)計(jì)的核心組件，憑借數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量翻倍至2048個(gè)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成功將產(chǎn)品單價(jià)提升至560美元，較前代HBM3E增長(zhǎng)超50%。作為全球首款實(shí)現(xiàn)該技術(shù)指標(biāo)的存儲(chǔ)器，HBM4的量產(chǎn)標(biāo)志著AI硬件性能邁入全新階段。

技術(shù)革新方面，HBM4在基底芯片設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)重大突破。通過(guò)集成計(jì)算效率優(yōu)化和能效管理的"邏輯制程"功能，產(chǎn)品直接在GPU與存儲(chǔ)器的連接層實(shí)現(xiàn)算力提升，這種架構(gòu)創(chuàng)新使AI設(shè)備的整體運(yùn)行效率得到顯著優(yōu)化。行業(yè)分析師指出，這種將存儲(chǔ)與計(jì)算功能深度融合的設(shè)計(jì)，或?qū)⒅匦露x高性能計(jì)算硬件的標(biāo)準(zhǔn)。

生產(chǎn)模式調(diào)整成為保障產(chǎn)能的關(guān)鍵舉措。SK海力士將基底芯片制造環(huán)節(jié)外包給臺(tái)積電，自身則專(zhuān)注于核心技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能統(tǒng)籌。這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型在3月已見(jiàn)成效，全球首款12層堆疊HBM4樣品通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證，6月啟動(dòng)的小批量供貨獲得市場(chǎng)積極反饋。據(jù)內(nèi)部人士透露，該產(chǎn)品的良品率較預(yù)期提升15%，為大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

市場(chǎng)價(jià)格體系呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性變化。除HBM系列外，GDDR和LP DDR等通用存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格同步上揚(yáng)，9月DDR4交易價(jià)創(chuàng)六年來(lái)新高。這種全線漲價(jià)態(tài)勢(shì)源于推理AI市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(zhǎng)，行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2025年全球AI訓(xùn)練與推理需求將推動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求增長(zhǎng)300%，而當(dāng)前產(chǎn)能僅能滿足約60%的市場(chǎng)需求。

財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)顯示強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭。SK海力士預(yù)計(jì)2025年HBM業(yè)務(wù)銷(xiāo)售額達(dá)40-42萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率維持在60%高位。僅該業(yè)務(wù)板塊就將貢獻(xiàn)25萬(wàn)億韓元營(yíng)業(yè)利潤(rùn)，推動(dòng)公司整體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)突破70萬(wàn)億韓元。值得關(guān)注的是，HBM4在下半年全面替代HBM3E后，業(yè)務(wù)規(guī)模預(yù)計(jì)較今年增長(zhǎng)40%-50%，形成新的利潤(rùn)增長(zhǎng)極。

產(chǎn)能布局方面，SK海力士已提前鎖定2025年全部HBM產(chǎn)能。這種"未產(chǎn)先銷(xiāo)"的市場(chǎng)策略，反映出行業(yè)對(duì)高端存儲(chǔ)芯片的旺盛需求。技術(shù)專(zhuān)家分析，隨著3nm制程工藝的成熟，HBM5的研發(fā)已進(jìn)入實(shí)驗(yàn)階段，未來(lái)存儲(chǔ)器與GPU的集成度將進(jìn)一步提升，推動(dòng)AI計(jì)算效率持續(xù)突破物理極限。