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紫光國(guó)芯推出自研PSRAM芯片,最高128Mb容量

   時(shí)間:2025-07-01 17:17:10 來源:IT之家編輯:快訊團(tuán)隊(duì) IP:北京 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

7 月 1 日消息,紫光國(guó)芯今日官宣,其自主研發(fā)的 PSRAM(注:偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布。

此次上新的 PSRAM 產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議 Xccela,容量覆蓋 32Mb、64Mb 和 128Mb,采用 BGA24L 超薄封裝,同時(shí)也支持 KGD 產(chǎn)品形式。該系列產(chǎn)品可為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、穿戴電子產(chǎn)品和端側(cè) AI 產(chǎn)品打造存儲(chǔ)解決方案。

紫光國(guó)芯 PSRAM 產(chǎn)品在進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)芯片尺寸緊湊的同時(shí),將產(chǎn)品速度提升至 1066Mbps,可實(shí)現(xiàn)最高 17.06Gb/s 的帶寬性能;還可支持在線動(dòng)態(tài)可配置 X8、X16 模式,以適配不同應(yīng)用的需求。

為滿足物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備對(duì)長(zhǎng)續(xù)航的需求,紫光國(guó)芯 PSRAM 系列產(chǎn)品支持包括 Half Sleep 的低功耗設(shè)計(jì),主力產(chǎn)品支持常規(guī) 1.8v 低壓供電,即將上市的 256Mb PSRAM 新品可支持 1.8v&1.2v 雙壓和 1.2v DVFS0.6v 兩種超低功耗模式。

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