IDTechEx最新研究報告顯示，2025年將成為電力電子行業的關鍵轉折點。盡管全球純電動汽車（BEV）銷量增速有所放緩，但電動汽車電力電子市場仍將在2036年實現三倍增長，市場規模預計達到420億美元。這一增長主要得益于插電式混合動力汽車（PHEV）對碳化硅（SiC）功率器件需求的持續攀升，以及氮化鎵（GaN）技術在車載充電系統中的突破性應用。

碳化硅功率器件市場正經歷結構性變革。雖然Wolfspeed等頭部供應商今年營收出現波動，但SiC MOSFET在電動汽車領域的應用反而加速普及。豐田、舍弗勒等企業已公開采用SiC技術的混合動力傳動系統方案，證明該器件在部分純電行駛場景中的經濟性優勢。成本下降的核心驅動力來自晶圓環節的競爭加劇——兩年前僅有Wolfspeed和Coherent具備200毫米晶圓量產能力，而今英飛凌已實現規模化供應，中國廠商更通過產能擴張為本土車企提供穩定供應鏈支持。據測算，晶圓成本占SiC芯片總成本的比重高達50%，晶圓尺寸升級對降低系統成本具有決定性作用。

氮化鎵技術迎來車載應用里程碑。長安汽車即將在2026年推出的啟源E07車型中，首次采用納維達斯供應的GaN器件構建車載充電系統，實現6千瓦/升的功率密度，較行業平均水平提升200%。這項突破不僅驗證了氮化鎵在400V以上高壓系統的可靠性，更為其向牽引逆變器領域滲透奠定基礎。目前VisIC、恩智浦等企業正在研發基于GaN的逆變器方案，預計未來十年內將在成本效益方面形成競爭優勢。

技術融合趨勢催生新型電力電子架構。混合逆變器通過并聯硅IGBT與碳化硅/氮化鎵器件，在全負載范圍內實現性能優化，但需攻克柵極驅動同步和熱管理等技術難題。嵌入式功率模塊作為另一創新方向，通過將芯片直接集成至PCB基板，可消除引線鍵合帶來的寄生電感，提升系統效率。截至2025年10月，該技術尚未在量產車型中大規模應用，但其對功率密度提升的潛力已引發行業高度關注。

IDTechEx在《2026-2036年電動汽車電力電子：技術、市場與預測》報告中指出，盡管市場面臨短期波動，但寬帶隙半導體技術的成熟將推動單位功率成本持續下降。預計到2036年，每千瓦電力電子系統的價格將較當前水平降低45%，為電動汽車滲透率進一步提升創造條件。