集邦咨詢TrendForce最新發(fā)布的行業(yè)分析指出，在全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電正通過(guò)強(qiáng)化專利布局鞏固其技術(shù)領(lǐng)先地位。數(shù)據(jù)顯示，2016至2023年間，該企業(yè)在光刻技術(shù)領(lǐng)域的專利申請(qǐng)量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，年均增幅接近一倍，與主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星、英特爾的技術(shù)差距持續(xù)擴(kuò)大。

研究機(jī)構(gòu)基于Patentfield專利數(shù)據(jù)庫(kù)的深度分析顯示，臺(tái)積電在半導(dǎo)體光刻設(shè)備（國(guó)際專利分類號(hào)H01L21）領(lǐng)域的專利積累尤為顯著。2010年代中期以來(lái)，其相關(guān)專利申請(qǐng)量進(jìn)入快速增長(zhǎng)通道，2023年達(dá)到1548件，較2016年的723件增長(zhǎng)114%。若聚焦包含"光刻"關(guān)鍵詞的技術(shù)專利，2023年932件的申請(qǐng)量較2016年的350件增長(zhǎng)166%，呈現(xiàn)同步攀升態(tài)勢(shì)。

該研究覆蓋日本、美國(guó)、歐洲及中國(guó)等主要半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)的專利申請(qǐng)數(shù)據(jù)，特別關(guān)注涉及極紫外光刻（EUV）技術(shù)的核心專利。分析表明，臺(tái)積電在EUV相關(guān)工藝、材料及設(shè)備優(yōu)化等細(xì)分領(lǐng)域已形成系統(tǒng)性專利網(wǎng)絡(luò)，為其3nm及以下先進(jìn)制程的量產(chǎn)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

值得關(guān)注的是，已退出半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的美國(guó)科技巨頭IBM，憑借其紐約奧爾巴尼研究中心持續(xù)保持技術(shù)影響力。盡管2014年剝離芯片制造業(yè)務(wù)，但該機(jī)構(gòu)在光刻膠材料、多重曝光工藝等前沿領(lǐng)域仍保持活躍研發(fā)。目前IBM正與日本Rapidus公司合作推進(jìn)2nm制程技術(shù)開(kāi)發(fā)，通過(guò)技術(shù)授權(quán)模式持續(xù)參與全球半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。

行業(yè)分析師指出，這種"研發(fā)與生產(chǎn)分離"的模式正在重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。掌握核心專利的研究機(jī)構(gòu)通過(guò)技術(shù)許可、聯(lián)合開(kāi)發(fā)等方式，依然能在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電與IBM的案例顯示，無(wú)論是制造企業(yè)還是研發(fā)機(jī)構(gòu)，持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新投入都是維持產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的核心要素。