科技領(lǐng)域迎來(lái)新突破，AMD公司近期獲得一項(xiàng)名為“高帶寬內(nèi)存模組架構(gòu)”的專利授權(quán)。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)旨在突破DDR5內(nèi)存的性能瓶頸，通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)將內(nèi)存總線的傳輸速率從現(xiàn)有的6.4 Gbps大幅提升至12.8 Gbps，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的延遲和更穩(wěn)定的信號(hào)傳輸。

與傳統(tǒng)方案不同，該專利并未依賴DRAM芯片本身的迭代升級(jí)，而是采用了一種稱為高帶寬雙列直插內(nèi)存模組（HB-DIMM）的架構(gòu)設(shè)計(jì)。其核心原理是通過(guò)將多個(gè)DRAM設(shè)備與先進(jìn)的數(shù)據(jù)緩沖芯片進(jìn)行耦合，利用緩沖芯片對(duì)信號(hào)流進(jìn)行高效管理，從而在現(xiàn)有硬件基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)性能躍升。這種設(shè)計(jì)避免了重新研發(fā)DRAM芯片的高成本和長(zhǎng)周期問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵在于寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路的引入。該電路能夠精準(zhǔn)解碼內(nèi)存指令，并通過(guò)芯片標(biāo)識(shí)符位實(shí)現(xiàn)智能路由。這一機(jī)制使得內(nèi)存模組可以將任務(wù)分配至多個(gè)獨(dú)立尋址的“偽通道”，突破了傳統(tǒng)順序訪問(wèn)模式對(duì)數(shù)據(jù)吞吐量的限制，真正實(shí)現(xiàn)了并行訪問(wèn)。這種革新不僅提升了內(nèi)存訪問(wèn)效率，更為系統(tǒng)整體性能優(yōu)化奠定了基礎(chǔ)。

在操作模式方面，該架構(gòu)提供了1n和2n兩種靈活選擇，為時(shí)鐘信號(hào)管理和時(shí)序優(yōu)化提供了更多可能性。通過(guò)采用簡(jiǎn)化的非交錯(cuò)傳輸格式替代傳統(tǒng)交錯(cuò)配置，數(shù)據(jù)傳輸延遲得到進(jìn)一步降低。這種設(shè)計(jì)在保持信號(hào)完整性的同時(shí)，顯著提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?shí)時(shí)性。

值得關(guān)注的是，該架構(gòu)具備動(dòng)態(tài)配置能力，可在偽通道模式與四通道配置之間自由切換。這種特性使其能夠適應(yīng)不同場(chǎng)景的需求，特別是在高性能計(jì)算等對(duì)吞吐量和靈活性要求極高的領(lǐng)域，展現(xiàn)出顯著的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。通過(guò)優(yōu)化內(nèi)存訪問(wèn)路徑和信號(hào)管理方式，該技術(shù)為提升計(jì)算系統(tǒng)的整體效率提供了新的解決方案。