全球存儲芯片市場正經(jīng)歷一場由人工智能（AI）需求主導(dǎo)的深刻變革。摩根大通分析師團隊在最新報告中指出，云服務(wù)提供商對高性能內(nèi)存的旺盛需求，正推動整個行業(yè)進入長期結(jié)構(gòu)性增長通道。這場變革不僅重塑了DRAM市場的價格周期，更帶動NAND閃存市場全面復(fù)蘇，預(yù)計到2027年全球存儲市場規(guī)模將突破3000億美元。

驅(qū)動本輪增長的核心力量來自AI計算對內(nèi)存性能的極致追求。報告顯示，AI訓(xùn)練與推理需求已從高帶寬內(nèi)存（HBM）向傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存全面擴散。由于供應(yīng)商在未來12個月內(nèi)難以完全滿足市場需求，存儲芯片價格獲得持續(xù)支撐。這種供需失衡在DRAM市場表現(xiàn)為罕見的四年定價上行周期（2024-2027年），徹底打破了該行業(yè)"過山車式"的價格波動規(guī)律。

HBM技術(shù)成為穩(wěn)定市場周期的關(guān)鍵變量。摩根大通預(yù)測，到2027年HBM將占據(jù)DRAM市場總價值的43%，其高附加值特性有效平滑了傳統(tǒng)DRAM的價格波動。即便在2026年HBM3E產(chǎn)品可能因供應(yīng)增加而降價，但下一代HBM4預(yù)計仍將保持35%的溢價，確保混合平均售價維持高位。在廠商競爭格局中，SK海力士憑借HBM4技術(shù)優(yōu)勢，有望提前獲得英偉達認證并占據(jù)超60%市場份額，三星與美光則將爭奪剩余訂單。

DRAM市場的增長動力正呈現(xiàn)多元化特征。報告特別指出，英偉達下一代Vera CPU配套的SOCAMM2內(nèi)存模組，以及Rubin CPX GPU使用的GDDR7顯存，將成為新的需求增長點。同時，AI推理服務(wù)與邊緣計算的普及，迫使通用服務(wù)器升級內(nèi)存配置以降低延遲、優(yōu)化功耗，進一步推高DRAM需求。摩根大通預(yù)計，到2027年AI相關(guān)應(yīng)用將占據(jù)DRAM市場53%的份額，為此存儲廠商計劃在2026-2027年將資本支出提升7%-12%，優(yōu)先擴張DRAM產(chǎn)能。

NAND閃存市場同樣迎來強勁復(fù)蘇。在經(jīng)歷兩年投資低迷后，企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）需求因外部因素激增。傳統(tǒng)近線硬盤驅(qū)動器（HDD）的供應(yīng)短缺（部分產(chǎn)品交付周期達52周），迫使數(shù)據(jù)中心大規(guī)模轉(zhuǎn)向eSSD解決方案。與此同時，AI模型從訓(xùn)練向推理階段轉(zhuǎn)型，對數(shù)據(jù)讀取速度提出更高要求，凸顯了NAND閃存的結(jié)構(gòu)性價值。摩根大通預(yù)測，NAND混合平均售價將在2026財年同比增長7%，但對其長期前景保持謹慎樂觀，認為AI推理的存儲需求確定性弱于HBM對GPU計算的支撐。

這場存儲芯片革命正在改寫行業(yè)規(guī)則。從DRAM市場的長周期定價，到NAND閃存的結(jié)構(gòu)性價值提升，再到HBM技術(shù)的競爭格局演變，AI需求已成為貫穿整個存儲產(chǎn)業(yè)鏈的核心主線。隨著資本支出向DRAM產(chǎn)能傾斜，以及eSSD在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的加速滲透，全球存儲市場正步入一個由技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動的新增長階段。