在HBM（高帶寬內存）市場競爭中，SK海力士與三星的角力持續升級。作為英偉達當前HBM3E產品的主要供應商，SK海力士已向其交付8層及12層堆疊的HBM3E芯片，并率先完成下一代HBM4的量產體系構建。這一進展使其在英偉達基于Rubin架構的AI加速器供應鏈中占據先機。
三星的追趕之路則充滿波折。盡管其12層堆疊HBM3E樣品在去年2月便已開發完成，但通過英偉達質量認證的過程耗時一年半。據TrendForce分析，這一突破既源于三星對HBM3E性能的持續優化，也與英偉達推進供應商多元化的戰略需求密切相關。然而，有消息指出三星目前僅完成第二輪內部晶圓驗收測試，尚未獲得英偉達的最終批準。
技術迭代成為競爭關鍵。三星今年第二季度推出的HBM4樣品雖已通過英偉達初步測試，但仍需完成最終驗證。其優勢在于采用4nm工藝制造基礎裸片，并搭配第六代10nm級（1αnm）工藝DRAM芯片，相比SK海力士第五代10nm級（1βnm）工藝更具性能潛力。特別是針對HBM3E的發熱問題，三星通過去年5月啟動的設計更新，成功解決了技術瓶頸。
市場壓力促使技術規格不斷攀升。英偉達近期要求供應商將HBM4速度從8Gb/s提升至10Gb/s，以應對AMD明年推出的Instinct MI450計算卡及"Helios"AI機架系統的挑戰。這一需求為三星提供了反超契機——其HBM4在工藝制程上的領先性，可能幫助其滿足英偉達對性能的嚴苛要求。
當前競爭格局呈現雙雄并立態勢。SK海力士憑借先發優勢占據市場主動，而三星通過技術迭代與工藝升級持續施壓。隨著AI計算對內存帶寬需求的指數級增長，HBM市場的技術競賽已進入白熱化階段，兩大存儲巨頭的每一次突破都將重塑產業格局。
