摩根大通最新發布的行業研究報告指出，全球頭部存儲芯片制造商的總市值已逼近萬億美元關口，基于對歷史估值規律與未來市場空間的綜合測算，該機構預測到2027年這一數字將攀升至1.5萬億美元，意味著行業龍頭仍存在逾50%的估值提升空間。報告特別強調，當前存儲芯片行業正經歷前所未有的增長周期，其持續時間與強度均有望刷新歷史紀錄。
針對市場普遍擔憂的2027年DRAM產能過剩問題，研究團隊通過構建產能-位元動態模型得出結論：HBM（高帶寬內存）的產能擠占效應與AI推理帶來的結構性需求，將使未來兩年DRAM供應增速持續落后于需求增長。具體數據顯示，HBM占DRAM總產能的比例將從2025年的19%躍升至2027年的28%，而常規DRAM產能在2026年甚至可能出現同比下降。盡管2027年供需缺口可能從2026年的5%收窄至3%，但整體市場仍將維持供不應求狀態。
在定價機制方面，報告揭示了存儲市場"雙軌并行"的特殊現象。企業級（B2B）市場受AI推理需求驅動，價格體系保持強韌性；消費級（B2C）市場則因終端需求疲軟面臨周期性壓力。不過，服務器端需求的持續增長將完全對沖消費電子市場的下行風險。摩根大通預測，2026財年DRAM平均售價將激增53%，NAND價格上漲約30%；2027財年DRAM價格仍能維持1%的微漲，NAND價格回調幅度控制在6%以內。
AI技術革命正在重塑存儲產業格局。HBM領域因GPU與ASIC的路線競爭迎來雙重利好，Google下一代2nm制程TPU可能采用HBM4，配合Rubin Pro GPU帶來的4倍容量提升，將持續擠壓供應鏈產能。研究預計HBM供需缺口將貫穿2027年，甚至可能延續至2028年。在企業級SSD市場，AI服務器對存儲容量的需求是普通服務器的3倍，疊加HDD廠商資本開支謹慎的因素，eSSD將在未來6個月享受需求紅利，推動2026財年NAND價格上漲27%。
關于產能擴張的實際效果，報告提出"增長但克制"的判斷。雖然存儲廠商公布了多項擴產計劃，但物理遷移挑戰將限制實際位元供應增長。數據顯示，2026/2027年DRAM晶圓廠設備支出將分別增長19%和26%，但資本密集度指標顯示，DRAM（低于30%）和NAND（低于20%）的投入強度均低于過去五年平均水平。這種謹慎的資本支出策略，反映出供應端維持市場平衡的顯著紀律性。
在估值測算框架下，摩根大通采用市值/市場規模（TAM）模型，結合2018-2021年周期3.5倍的市銷率中值，得出2027年存儲市場規模約4200億美元的預測。當前頭部企業市值距離目標值存在顯著差距，即便考慮市場波動因素，行業整體仍具備可觀的增長彈性。研究團隊明確建議投資者繼續增持存儲板塊，認為市場對周期拐點的擔憂過度，實際供需格局遠比預期樂觀。
