近日，存儲芯片市場迎來了一輪罕見的漲價潮，NAND閃存合約價格在11月被閃迪大幅調(diào)漲，漲幅高達(dá)50%。這一消息引發(fā)了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注，許多人將此次漲價稱為存儲芯片行業(yè)的“超級周期”。

存儲芯片主要分為DRAM（內(nèi)存）和NAND（閃存）兩大類。在全球市場中，三星和SK集團在這兩個領(lǐng)域均占據(jù)領(lǐng)先地位。自9月以來，存儲芯片價格已連續(xù)上漲，市場熱度持續(xù)攀升。

針對此輪漲價，有媒體采訪了三星和SK集團的相關(guān)人員。三星工作人員表示，AI（人工智能）需求的爆發(fā)是推動價格上漲的主要原因。由于AI對高性能存儲芯片的需求激增，大量消費級存儲芯片的產(chǎn)能被轉(zhuǎn)向企業(yè)級存儲芯片的生產(chǎn)，導(dǎo)致市場供應(yīng)緊張。

對于漲價趨勢的持續(xù)時間，三星方面認(rèn)為，這一波漲價潮至少會持續(xù)到2026年上半年。與此同時，SK集團工作人員透露，公司的HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能在未來兩年內(nèi)已被全部預(yù)定，進一步凸顯了市場需求的強勁。

NAND閃存市場為何也出現(xiàn)火熱局面？SK集團工作人員解釋稱，數(shù)據(jù)中心的需求是關(guān)鍵因素。隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，企業(yè)對ESSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）的需求大幅增加。ESSD作為數(shù)據(jù)長期存儲的核心設(shè)備，其重要性日益凸顯。

據(jù)了解，AI的需求主要帶動了HBM這類芯片的發(fā)展。HBM是數(shù)據(jù)臨時存放的場所，GPU（圖形處理器）等算力芯片中的信息需要與HBM進行高效交換。而SSD（固態(tài)硬盤）則負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的長期保存。SK集團工作人員進一步說明：“最終數(shù)據(jù)必須保存在ESSD中，而HBM僅用于臨時數(shù)據(jù)交換。”

此次存儲芯片漲價潮反映了AI技術(shù)發(fā)展對硬件市場的深遠(yuǎn)影響。隨著數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級應(yīng)用對高性能存儲需求的持續(xù)增長，存儲芯片行業(yè)或?qū)⒂瓉硇乱惠喌脑鲩L周期。