在2025中國移動全球合作伙伴大會現(xiàn)場，芯盛智能與中國移動通信集團(tuán)終端有限公司共同宣布推出全自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存系列產(chǎn)品。該系列內(nèi)存基于1Xnm先進(jìn)制程工藝打造，實現(xiàn)了從芯片設(shè)計到封裝測試的全鏈條國產(chǎn)化突破，標(biāo)志著我國在存儲器領(lǐng)域的技術(shù)自主性邁上新臺階。

這款國產(chǎn)DDR4內(nèi)存的核心優(yōu)勢在于完整的自主知識產(chǎn)權(quán)體系。研發(fā)團(tuán)隊突破技術(shù)壁壘，完成了從電路設(shè)計、晶圓制造到封裝測試的全流程國產(chǎn)化，確保每個環(huán)節(jié)均在國內(nèi)完成。產(chǎn)品已通過多項兼容性認(rèn)證，可完美適配飛騰、海光、兆芯、龍芯等主流國產(chǎn)CPU架構(gòu)，為服務(wù)器、工作站、工業(yè)控制系統(tǒng)及消費電子設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的內(nèi)存解決方案。

技術(shù)參數(shù)方面，該系列內(nèi)存提供多樣化的產(chǎn)品形態(tài)。模組產(chǎn)品線包含RDIMM（注冊式雙列直插內(nèi)存模塊）、UDIMM（無緩沖雙列直插內(nèi)存模塊）和SODIMM（小型雙列直插內(nèi)存模塊）三種規(guī)格，傳輸速率最高可達(dá)3200MT/s。容量配置上，模組產(chǎn)品提供8GB、16GB和32GB三種選擇，封裝芯片則涵蓋8Gb（1GB）、16Gb（2GB）容量，并支持多種位寬配置，滿足不同應(yīng)用場景的性能需求。

行業(yè)分析指出，這款全國產(chǎn)DDR4內(nèi)存的推出具有雙重戰(zhàn)略意義。一方面，它填補了國內(nèi)高端存儲器產(chǎn)品的空白，降低了對進(jìn)口芯片的依賴；另一方面，其兼容多平臺特性為國產(chǎn)計算機(jī)生態(tài)建設(shè)提供了關(guān)鍵支撐。特別是在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，該產(chǎn)品的穩(wěn)定性和國產(chǎn)化特性，可有效保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的供應(yīng)鏈安全。