存儲芯片市場正經(jīng)歷一場由人工智能（AI）需求驅(qū)動的空前漲價潮，行業(yè)傳統(tǒng)供需格局被徹底打破。據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，本輪漲價周期自上半年啟動以來，進入第四季度后非但未放緩，反而因多重因素疊加呈現(xiàn)加速態(tài)勢，部分產(chǎn)品價格單周漲幅超過30%，形成行業(yè)罕見的"超級周期"。

CFM閃存市場最新數(shù)據(jù)顯示，DDR4 16Gb 3200現(xiàn)貨價格本周攀升至13美元，較上周暴漲30%；512Gb Flash晶圓價格10月累計漲幅超20%。某存儲模組廠員工透露，部分原廠已暫停DRAM和Flash產(chǎn)品報價，即便報價也僅維持"一日一價"的短暫有效期。TrendForce集邦咨詢分析師許家源預(yù)測，第四季度DRAM整體價格（含HBM）將環(huán)比增長13%-18%，其中DDR4供應(yīng)緊缺或持續(xù)至2026年上半年。

這輪漲價的核心驅(qū)動力來自AI大模型引發(fā)的結(jié)構(gòu)性供需失衡。摩根士丹利報告顯示，科技巨頭今年在AI基礎(chǔ)設(shè)施的投入預(yù)計達4000億美元，直接帶動HBM（高帶寬內(nèi)存）需求激增。Yole Group預(yù)測，2025年HBM市場規(guī)模將接近340億美元，2030年前保持33%的年復(fù)合增長率，屆時營收將超過DRAM市場總規(guī)模的50%。由于HBM晶圓消耗量是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍以上，存儲巨頭被迫將產(chǎn)能向利潤更高的HBM和DDR5傾斜，導(dǎo)致DDR4、LPDDR4X等傳統(tǒng)產(chǎn)品出現(xiàn)"計劃性供應(yīng)短缺"。

終端市場已明顯感受到成本壓力。小米集團創(chuàng)始人雷軍在社交媒體直言"內(nèi)存漲價太多"，其新發(fā)布的Redmi K90系列手機部分版本售價較前代上調(diào)100-400元。小米總裁盧偉冰公開表示，存儲成本上漲幅度遠(yuǎn)超預(yù)期且持續(xù)加劇，但公司仍希望通過誠意定價獲得消費者理解。威剛科技董事長陳立白則公開看好，認(rèn)為第四季度才是存儲市場真正起漲點，2025年行業(yè)將迎來繁榮期。

面對供應(yīng)鏈變革，下游廠商正在調(diào)整策略。PC制造商加速導(dǎo)入DDR5機型，而電視、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等消費領(lǐng)域則放緩從DDR3向DDR4的升級進程。江波龍證券部人士透露，公司因提前儲備存貨，上游漲價對毛利率形成正向貢獻。與之形成對比的是，朗科科技采取"清庫存"模式，庫存量低于行業(yè)平均水平以降低波動風(fēng)險。

芯片設(shè)計企業(yè)和分銷商則更多依賴價格傳導(dǎo)機制。普冉股份證券部人士表示，公司正與下游客戶協(xié)商漲價，試圖通過博弈實現(xiàn)價格上調(diào)。香農(nóng)芯創(chuàng)證券部人士稱，分銷業(yè)務(wù)毛利保持穩(wěn)定，但采購成本上漲會同步傳導(dǎo)至下游，"行情影響更多體現(xiàn)在銷量變化，而非毛利率波動"。

國際原廠漲價效應(yīng)已向國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈擴散。某國產(chǎn)存儲大廠人士透露，國外廠商提價促使部分客戶轉(zhuǎn)向國內(nèi)晶圓廠，行業(yè)整體獲利空間顯著擴大。在此背景下，國內(nèi)企業(yè)正加速布局高附加值領(lǐng)域：賽騰股份HBM檢測設(shè)備已獲海外大客戶批量訂單，國內(nèi)市場開拓中；中微公司在先進封裝領(lǐng)域（含HBM工藝）完成刻蝕、CVD等設(shè)備全鏈條布局；佰維存儲的晶圓級先進封測項目進入投產(chǎn)準(zhǔn)備，將提供"存儲+封測"一站式解決方案。

許家源分析指出，盡管預(yù)計2026年HBM3e可能面臨供過于求，但新一代HBM4因技術(shù)門檻高仍將保持供需緊張狀態(tài)。這場由AI引發(fā)的行業(yè)變革，正在重塑全球存儲產(chǎn)業(yè)格局，國產(chǎn)廠商能否抓住國際大廠產(chǎn)能調(diào)整的窗口期，將成為決定未來市場地位的關(guān)鍵。