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臺積電、英特爾、三星2nm工藝良率曝光:臺積電領先,英特爾追趕

   時間:2025-07-15 15:26:55 來源:ITBEAR編輯:快訊團隊 IP:北京 發表評論無障礙通道

近期,半導體行業內部消息透露,KeyBanc Capital Markets的一位分析師John Vinh在其報告中詳細分析了臺積電、英特爾及三星電子在2納米工藝節點上的良率情況。據報告,臺積電的N2節點良率大約為65%,表現最為突出。緊隨其后的是英特爾的Intel 18A節點,良率為55%,較上一季度有所上升。而三星電子的SF2節點良率則相對較低,僅為40%。

值得注意的是,John Vinh指出,英特爾的Intel 18A節點良率在本季度內實現了5%的增長,這一進步對于英特爾按計劃在今年內推出Panther Lake處理器至關重要。他還預測,英特爾的代工業務有望在三星晶圓代工之前,達到65至70%的可量產2納米良率水平。然而,到那時候,臺積電的N2節點良率預計將攀升至75%,繼續保持領先。

報告進一步提及,Intel 18A-P這一改進版工藝預計將在2026年下半年進入量產階段。John Vinh強調,如果英特爾能夠滿足一系列關鍵績效指標,其公司業績有望大幅超過市場預期,這將極大地增強外界對英特爾代工業務未來發展的信心。

盡管前景看好,John Vinh并不認為英特爾會在Intel 18A-P節點上放棄對外代工策略。他預測,下一個工藝節點Intel 14A的量產時間將推遲到2027年至2028年之交,這意味著英特爾在一段時間內仍將繼續依賴外部代工來滿足市場需求。

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