理想汽車近期在第37屆ISPSD國際會議上，展示了其在車規級碳化硅芯片領域的最新研究成果。此次發布的論文，題為《針對1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片的擊穿電壓異常分析與篩選技術探索》，出自理想汽車自研的SiC芯片團隊之手。

論文詳細闡述了碳化硅芯片失效的原因及過程，并揭示了團隊如何利用創新的“CT機”制造技術，實現對問題芯片的精準識別與剔除。這項技術不僅提升了芯片篩選的準確率，更為提升碳化硅芯片的可靠性奠定了堅實基礎。

更為引人注目的是，理想汽車團隊在論文中提出了一個根本性的解決方案：從碳化硅晶體的生長工藝入手，以期全面提高行業內SiC芯片的可靠性表現。這一前瞻性的思路，無疑為碳化硅芯片的研發和應用帶來了新的曙光。

理想汽車表示，隨著電動汽車高壓平臺技術的不斷發展，SiC芯片的大規模應用已成為必然趨勢。為此，理想汽車正深度結合汽車應用需求，致力于研發更安全、更高效的SiC芯片，旨在為用戶帶來更加無憂的出行體驗。

事實上，理想汽車在碳化硅芯片領域已經取得了顯著的進展。2025年2月，理想汽車自研的碳化硅功率芯片成功裝機，并同步在蘇州半導體生產基地實現了碳化硅功率模塊的量產。與此同時，常州電驅動基地也下線了集成該技術的新一代電驅動總成。這一成果直接應用于理想汽車的首款純電MPV車型——理想MEGA，該車型憑借800V SiC高壓平臺，實現了5C快充和百公里僅15.9kWh的超低能耗，四驅車型的能耗甚至低于多數純電轎車。

為了確保碳化硅器件的穩定供應，理想汽車采取了“自研+合作”的雙軌并行模式。一方面，與湖南三安半導體共同成立了蘇州斯科半導體，規劃年產能達240萬只碳化硅半橋功率模塊，預計2024年投產，以滿足高壓純電平臺的需求。另一方面，理想汽車還與意法半導體和安森美等全球領先的半導體供應商簽署了長期供貨協議，以確保SiC MOSFET和EliteSiC 1200V裸芯片的穩定供應，為下一代800V車型的研發和生產提供有力支持。