全球存儲芯片領域近日迎來重要進展，SK海力士與英偉達就第六代高帶寬存儲器HBM4的供應協議達成一致。這款專為AI芯片設計的存儲器較前代產品HBM3E單價提升超50%，每顆定價約560美元（約合人民幣3989元），標志著HBM市場進入新的價格周期。

據行業消息，雙方談判過程充滿博弈。SK海力士基于技術升級帶來的成本壓力，最初提出550美元的報價，但英偉達考慮到三星電子和美光科技即將大規模入局，對價格漲幅提出異議。最終經過協商，定價較初始方案微漲10美元，這個結果既保障了SK海力士的市場主導權，也體現了英偉達對供應鏈穩定性的考量。

技術突破是支撐漲價的核心因素。HBM4的數據傳輸通道數量達2048個，較HBM3E翻倍，同時在基底芯片中集成了計算優化和能效管理等邏輯功能。這種架構革新促使SK海力士將基底芯片生產外包給臺積電，形成存儲與邏輯工藝的深度整合。行業分析師指出，這種技術躍遷帶來的制造成本上升，是推動產品定價走高的關鍵原因。

財務預測顯示，SK海力士的HBM業務將迎來爆發式增長。市場預計其明年HBM銷售額可達40-42萬億韓元（約合人民幣2084億元），若保持當前利潤率水平，僅HBM業務就可貢獻約25萬億韓元營業利潤。相較于今年30萬億韓元銷售額和17萬億韓元利潤的業績，整體業務規模有望提升40%-50%。

通用DRAM市場的價格異動成為另一重要變量。受AI基礎設施投資驅動，DDR4價格六年來首次突破7美元關口。存儲芯片廠商將產能向HBM產線傾斜，導致通用DRAM供應持續緊張。這種結構性短缺推動SK海力士的GDDR和LP DDR等通用產品利潤率攀升，預計明年該板塊營業利潤率可達50%-60%。

產能預售現象印證了市場的高景氣度。據業內人士透露，SK海力士明年的生產計劃已全部售罄，這種"未投產先售罄"的局面在存儲芯片行業極為罕見。推理AI市場的快速擴張帶來的需求激增，使得存儲芯片供應持續吃緊，為廠商維持高利潤率提供了堅實支撐。

綜合各項業務表現，市場對SK海力士的盈利預期持續上調。有預測認為，憑借HBM4的高附加值和通用DRAM的價格上漲，公司明年整體營業利潤可能突破70萬億韓元。這種業績表現不僅源于HBM業務的技術領先，更得益于AI浪潮下存儲芯片市場的整體繁榮。