英特爾在近期舉辦的2025年VLSI研討會上，深入分享了其最新Intel 18A制程技術的諸多細節，引發了業界的廣泛關注。
據透露，Intel 18A制程技術涵蓋了高性能（HP）和高密度（HD）兩個庫，不僅技術設計功能完備，還在設計易用性上有了顯著提升。這一進步使得開發者在利用該技術時能夠更加得心應手。
在關鍵的PPA（性能、功耗、面積）指標對比中，Intel 18A制程展現出了非凡的實力。在標準Arm核心架構的芯片上，以1.1V的電壓運行，它能夠帶來25%的速度提升以及36%的功耗降低，這無疑為未來的高性能計算領域提供了強有力的支持。
Intel 18A制程在面積利用率上也相較于Intel 3制程有了顯著提升，這意味著在相同面積下，可以容納更多的晶體管，從而實現更高的集成度和設計密度。這對于追求極致性能和效率的電子產品來說，無疑是一個巨大的福音。
英特爾還透露，Intel 18A制程采用了前沿的RibbonFET環繞柵極晶體管（GAA）技術，這項技術能夠實現對電流的精確控制，從而進一步提升芯片的性能和能效。同時，它還首次引入了PowerVia背面供電技術，這一創新性的設計使得電力傳輸更加穩定，為芯片的高性能運行提供了堅實的保障。
通過對比可以發現，背面供電技術的引入使得英特爾的芯片在單元封裝上更加緊密，面積效率也得到了顯著提升。這主要是因為背面供電技術釋放了正面布線的空間，使得芯片設計更加靈活和高效。
從當前披露的信息來看，如果Intel 18A制程的良率能夠達到預期，那么它將成為臺積電2nm制程的有力競爭對手。這一技術的突破無疑將推動半導體行業的進一步發展，為消費者帶來更加先進和高效的電子產品。
據市場預測，Intel 18A制程技術將首先應用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU等高端產品中。預計最早在2026年，消費者就能夠見到采用這一先進制程技術的終端產品上市。
