在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，掩膜作為光刻與圖案化工藝的核心材料，承擔著芯片電路圖案“母版”的關(guān)鍵角色。隨著工藝制程向更先進節(jié)點推進，掩膜的精度升級已成為突破技術(shù)瓶頸的核心要素之一。其中，多重電子束掩膜光刻設(shè)備憑借其高吞吐量與高精度的雙重優(yōu)勢，成為支撐芯片量產(chǎn)的重要工具。

日本東芝旗下半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)NuFlare近日宣布，其新一代多重電子束掩膜光刻設(shè)備MBM-4000已正式投入市場。該設(shè)備專為支持A14（1.4納米）工藝節(jié)點設(shè)計，旨在滿足當前半導(dǎo)體行業(yè)對極紫外光刻（EUV）掩膜制造的嚴苛需求。

與上一代適用于2納米節(jié)點的MBM-3000設(shè)備相比，MBM-4000在技術(shù)參數(shù)上實現(xiàn)顯著突破。其電子束控制系統(tǒng)可同時精確操控超過50萬束電子束，束流尺寸進一步縮小，電流密度大幅提升。通過優(yōu)化束流控制算法，該設(shè)備實現(xiàn)了1.1納米的位置精度與0.3納米的尺寸精度，達到全球半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先水平。

據(jù)技術(shù)文檔披露，MBM-4000的升級重點在于電子光學(xué)系統(tǒng)的革新。新設(shè)備采用動態(tài)束流整形技術(shù)，可根據(jù)不同圖案區(qū)域的復(fù)雜度自動調(diào)整束流參數(shù)，在提升生產(chǎn)效率的同時降低邊緣效應(yīng)。這一特性使其特別適用于高密度集成電路的掩膜制造，可有效減少因掩膜缺陷導(dǎo)致的芯片良率損失。

行業(yè)分析師指出，隨著3納米及以下先進制程進入量產(chǎn)階段，掩膜精度對芯片性能的影響愈發(fā)顯著。NuFlare此次推出的MBM-4000設(shè)備，不僅為半導(dǎo)體廠商提供了更可靠的生產(chǎn)工具，也為全球芯片制造技術(shù)向1.4納米及以下節(jié)點的突破奠定了設(shè)備基礎(chǔ)。