近期，荷蘭光刻機巨頭ASML的首席執(zhí)行官傅恪禮在采訪中發(fā)表了對美國針對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打壓措施的看法。他直言，這種打壓只會促使中國更加奮力追求技術(shù)自主，加速其在高端光刻機領(lǐng)域的突破。

作為全球唯一能夠提供高端光刻機的廠商，ASML在半導(dǎo)體制造設(shè)備市場中占據(jù)舉足輕重的地位。傅恪禮指出，盡管中國在追趕ASML技術(shù)方面還有相當(dāng)長的路程要走，但中國已經(jīng)邁出了自主研發(fā)國產(chǎn)光刻機的步伐。他警告稱，任何試圖通過打壓來遏制中國發(fā)展的行為，只會激發(fā)中國更加努力地實現(xiàn)技術(shù)自立。

傅恪禮進一步強調(diào)，無論設(shè)置多少障礙，都無法阻擋中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的進步。這一觀點無疑是對當(dāng)前國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的一種深刻洞察。

值得注意的是，中國科學(xué)院在光刻機技術(shù)方面已經(jīng)取得了重要進展。據(jù)報道，該機構(gòu)成功研發(fā)出了突破性的固態(tài)DUV激光技術(shù)，這一技術(shù)能夠發(fā)射與目前主流DUV曝光波長一致的193nm相干光，有望將半導(dǎo)體工藝推進至3nm級別。然而，在國產(chǎn)光刻機全面替代進口之前，中國仍然需要依賴ASML等國外廠商的設(shè)備。

在此背景下，關(guān)于光刻機是否存在后門、外國公司是否能夠遠程控制我國光刻機的問題引起了廣泛關(guān)注。復(fù)旦大學(xué)網(wǎng)絡(luò)空間國際治理研究基地的特邀研究員、知名半導(dǎo)體領(lǐng)域UP主芯聲對此進行了深入分析。他指出，預(yù)計到2028年，中國將能夠完成28nm工藝的安全化，這意味著在關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)芯片全面國產(chǎn)化。而到了2030年，中國有望同樣實現(xiàn)14nm工藝的安全化，為AI芯片生產(chǎn)提供基礎(chǔ)的安全保障。

芯聲還透露，在與ASML的談判中，對方曾希望將光刻機接入外網(wǎng)，以便提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。通過遠程運維系統(tǒng)，ASML可以實時傳回設(shè)備數(shù)據(jù)，一旦出現(xiàn)故障即可遠程處理。這一做法引發(fā)了關(guān)于光刻機是否可能被遠程關(guān)閉或留下后門的擔(dān)憂。

面對這些擔(dān)憂，芯聲表示，中國正在加速推進半導(dǎo)體技術(shù)的自主研發(fā)和安全化進程，以確保在關(guān)鍵時刻不受制于人。他強調(diào)，安全化并非意味著所有設(shè)備和工序都必須國產(chǎn)化，而是要在確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定的基礎(chǔ)上，逐步以國產(chǎn)材料替代進口材料。

隨著中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的不斷進步，未來國產(chǎn)光刻機將逐漸替代進口設(shè)備，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供強有力的支撐。同時，中國也將繼續(xù)加強與國際合作，共同推動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮與發(fā)展。

傅恪禮的表態(tài)和芯聲的分析都表明，盡管面臨外部壓力和挑戰(zhàn)，但中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的自主發(fā)展之路已經(jīng)不可逆轉(zhuǎn)。未來，中國將繼續(xù)堅定地走自主創(chuàng)新之路，不斷提升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心競爭力。

在光刻機領(lǐng)域，中國已經(jīng)取得了顯著的進展，但仍需要繼續(xù)努力。通過加強自主研發(fā)和國際合作，中國有望在未來實現(xiàn)更高級別的光刻機技術(shù)突破，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻。

與此同時，中國也將繼續(xù)加強半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)和完善，提高整個產(chǎn)業(yè)的競爭力和抗風(fēng)險能力。在未來的發(fā)展中，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更加廣闊的發(fā)展空間和更加美好的發(fā)展前景。