近期，臺(tái)灣內(nèi)存制造商南亞科技在AI DRAM領(lǐng)域加速其戰(zhàn)略部署，旨在從高度競爭的HBM市場中脫穎而出，特別是在全球三大內(nèi)存制造商激烈角逐的背景下。這一動(dòng)向得到了臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》與《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》的綜合報(bào)道。

南亞科技的領(lǐng)航者，總經(jīng)理李培瑛，強(qiáng)調(diào)了AI應(yīng)用內(nèi)存技術(shù)的四大核心要素：先進(jìn)且高密度的DRAM技術(shù)、3D TSV硅通孔技術(shù)與多芯片封裝工藝、HBM設(shè)計(jì)實(shí)力，以及邏輯Base Die（基礎(chǔ)裸晶）的應(yīng)用。他透露，南亞科技已在先進(jìn)DRAM技術(shù)領(lǐng)域完成布局，并與補(bǔ)丁科技與福懋科技攜手，共同推進(jìn)TSV技術(shù)和封裝技術(shù)的發(fā)展。

對(duì)于HBM設(shè)計(jì)與邏輯制程Base Die的獲取，南亞科技采取了戰(zhàn)略性的投資與合作策略。據(jù)李培瑛介紹，南亞科技的定制化DRAM項(xiàng)目預(yù)計(jì)在2026年就能獲得驗(yàn)證，并在2026年底至2027年期間為公司業(yè)績做出貢獻(xiàn)。

面對(duì)當(dāng)前市場環(huán)境的變化，南亞科技正積極應(yīng)對(duì)。由于三大內(nèi)存制造商相繼減產(chǎn)或停產(chǎn)DDR3、DDR4產(chǎn)品，南亞科技抓住了這一轉(zhuǎn)單機(jī)遇。同時(shí)，隨著市場提前備貨的趨勢顯現(xiàn)，南亞科技有望在第三季度完成庫存清理，并在第四季度努力實(shí)現(xiàn)扭虧為盈的目標(biāo)。