近日，韓國媒體MToday披露了一則重要消息，SK海力士公司計劃在今年十月正式啟動HBM高帶寬內(nèi)存的最新升級版本——12Hi HBM4的量產(chǎn)。這一決策背后的主要驅(qū)動力，是為了滿足英偉達即將于明年推出的基于“Rubin”架構(gòu)的AI GPU的需求。

據(jù)了解，SK海力士的12Hi HBM4采用了創(chuàng)新技術(shù)，將12層24Gb DRAM芯片進行堆疊，使得單個封裝的內(nèi)存容量高達36GB，數(shù)據(jù)傳輸帶寬更是驚人地達到了2TB/s。這不僅代表了內(nèi)存技術(shù)的一大飛躍，也為高性能計算領(lǐng)域帶來了新的可能。

值得注意的是，SK海力士在今年早些時候已經(jīng)在HBM4的生產(chǎn)上取得了顯著進展，實現(xiàn)了超過60%的良率。更令人振奮的是，最近該公司再次突破技術(shù)瓶頸，良率已經(jīng)提升至70%以上，為即將到來的大規(guī)模量產(chǎn)奠定了堅實的基礎(chǔ)。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新預(yù)測，由于HBM4在I/O接口數(shù)量上的翻倍以及基礎(chǔ)裸片功能的復(fù)雜化，其制造難度相較于前代產(chǎn)品有了顯著提升。因此，預(yù)計HBM4在上市初期將出現(xiàn)超過30%的價格溢價。盡管如此，HBM4的市場前景依然被看好，TrendForce預(yù)測，到2026年下半年，HBM4有望超越HBM3E，成為市場上的主流產(chǎn)品。