在半導體產業的尖端競技場上，臺積電再次展現了其技術領先實力。據國際媒體報道，臺積電2nm芯片的研發項目正有條不紊地向前推進，有望在這一關鍵工藝節點上拔得頭籌。尤為引人注目的是，AMD已經成功完成了流片階段，這一成就使得AMD在2nm芯片競賽中領先于蘋果與英特爾。
臺積電2nm工藝節點的開發進程異常順利，其在研發初期的缺陷率遠低于3nm和7nm工藝在相應階段的水平。據知情人士透露，目前該節點的芯片良率已經達到了與臺積電成熟的5nm工藝相當的水準，并預計將于2025年第四季度全面進入量產階段。
此次技術突破的核心在于臺積電首次引入了GAAFET（全環繞柵極場效應晶體管）架構。相較于傳統的FinFET架構，GAAFET架構中的晶體管采用了柵極材料完全包裹的納米片結構，這一創新不僅大幅提高了晶體管的密度，還有效減少了漏電現象，進一步降低了功耗。這一架構的引入，標志著臺積電在半導體制造領域取得了又一次重大飛躍。
在客戶合作層面，AMD無疑成為了首批嘗鮮者。AMD下一代代號為“Venice”的EPYC芯片已經順利完成流片，預計將成為臺積電2nm節點的首款產品。而蘋果的iPhone 18和英特爾的Nova Lake CPU雖然也計劃采用2nm技術，但上市時間預計會稍晚于AMD。
臺積電的2nm工藝客戶陣容堪稱星光熠熠，包括蘋果、AMD、英特爾、英偉達、高通、聯發科以及博通等芯片設計巨頭均已預訂了產能。英偉達的Rubin GPU最初計劃采用3nm工藝制造，但未來有望升級到更為先進的2nm工藝。
臺積電董事長魏哲家透露，市場對2nm工藝的需求異常旺盛，其熱度甚至超過了此前3nm工藝引發的搶購熱潮。這一表態無疑進一步增強了業界對臺積電2nm工藝未來市場表現的期待。
