近期，日本半導體行業(yè)兩大巨頭——羅姆株式會社與三菱電機株式會社，紛紛推出了基于碳化硅（SiC）材料的新型功率半導體模塊，標志著第三代半導體技術(shù)在新能源與消費電子領(lǐng)域的又一重要進展。

羅姆株式會社最新研發(fā)的新一代功率半導體器件，專為電動汽車生態(tài)系統(tǒng)量身打造。這款創(chuàng)新產(chǎn)品采用了碳化硅技術(shù)，通過獨特的電路架構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)了能效的大幅提升，相比傳統(tǒng)同類產(chǎn)品能效提高了50%。這一突破性的提升不僅為純電動車型帶來了更快的充電速度和更長的續(xù)航能力，還為車載充電器和充電站等應用場景提供了高效解決方案。該半導體模塊將多個功率半導體器件組合為一個模塊，以滿足大型純電動汽車對高輸出功率的需求，并計劃推出多種耐壓程度的模塊，以覆蓋不同類型的純電動車。

在生產(chǎn)方面，羅姆采用了跨國制造模式，福岡縣和宮崎縣的工廠負責前道工序，泰國工廠則承擔后道工序的組裝工作。羅姆計劃當前月產(chǎn)量達到10萬個，并設(shè)定了年銷售額100億日元的目標。這款新型半導體模塊的推出，不僅有助于純電動汽車的輕量化，還能延長續(xù)航里程，提高電池使用效率。

與此同時，三菱電機株式會社也推出了兩款新型SLIMDIP系列功率半導體模塊，分別為全碳化硅型號PSF15SG1G6和混合碳化硅型號PSH15SG1G6。這兩款模塊是三菱電機SLIMDIP系列緊湊型端子優(yōu)化模塊中的首款SiC版本，專為室內(nèi)空調(diào)和其他家用電器設(shè)計。它們具有出色的輸出性能和功率損耗降低優(yōu)勢，能夠在小容量到大容量的電器中實現(xiàn)顯著的節(jié)能效果。

三菱電機新開發(fā)的SiC MOSFET芯片被集成到兩款新的SLIMDIP封裝中，通過優(yōu)化封裝設(shè)計，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%。這一顯著的節(jié)能效果使得這兩款模塊成為各類容量家電節(jié)能場景的理想選擇。

三菱電機計劃于德國紐倫堡舉行的2025年P(guān)CIM博覽會和會議上展出這兩款新型模塊，并將在日本、中國和其他國家舉辦貿(mào)易展覽。隨著碳化硅材料在半導體領(lǐng)域的廣泛應用，這兩款新型模塊的推出將進一步推動家電產(chǎn)品的節(jié)能和性能提升。