國內知名NAND存儲主控企業(yè)聯(lián)蕓科技在第四屆GMIF2025創(chuàng)新峰會上披露了多款主控芯片的研發(fā)進展。總經(jīng)理李國陽在演講中表示，隨著端側AI技術加速滲透，存儲系統(tǒng)正從傳統(tǒng)數(shù)據(jù)存取工具向智能賦能核心轉變，這一趨勢推動公司持續(xù)突破技術邊界。

在PCIe 4.0領域，聯(lián)蕓科技即將推出新一代主控芯片MAP1606。該產品支持3600MT/s閃存接口速率，隨機讀寫性能分別達到1700K IOPS和1500K IOPS。通過架構優(yōu)化，芯片功耗較前代降低26%，在保持高性能的同時顯著提升能效比。

PCIe 5.0賽道上，全球首款支持PCIe 5.0×4通道的"滿速"DRAM-less主控MAP1802計劃于2025年底量產。這款四通道設計產品將填補市場空白，為高性能存儲設備提供核心支持。同時，面向端側AI場景優(yōu)化的MAP1808主控芯片已進入研發(fā)階段，旨在滿足更高負載的數(shù)據(jù)處理需求。

嵌入式存儲領域取得階段性突破。UFS3.1主控芯片已啟動量產，首款搭載該技術的商用手機預計2026年面市。UFS2.2與UFS4.1主控芯片的研發(fā)工作推進順利，其中UFS4.1將支持更高速的數(shù)據(jù)傳輸。在便攜存儲市場，單芯片移動固態(tài)硬盤主控方案完成技術驗證，即將進入商業(yè)評估階段。

李國陽特別強調，端側AI的崛起促使存儲系統(tǒng)重構設計邏輯。傳統(tǒng)存儲的"被動響應"模式正被"主動計算"架構取代，這要求主控芯片具備更強的數(shù)據(jù)處理能力和更低的延遲表現(xiàn)。聯(lián)蕓科技通過持續(xù)技術創(chuàng)新，正在構建覆蓋全場景的智能存儲解決方案。