全球碳化硅功率器件市場迎來重要合作動向。英飛凌與羅姆兩大半導(dǎo)體巨頭近日簽署諒解備忘錄，宣布在特定碳化硅（SiC）產(chǎn)品領(lǐng)域建立互為第二供應(yīng)商的合作關(guān)系。這一舉措旨在應(yīng)對新能源汽車、可再生能源及高性能計算領(lǐng)域?qū)μ蓟杵骷找嬖鲩L的需求，同時通過供應(yīng)鏈協(xié)同降低行業(yè)風(fēng)險。

作為電力電子產(chǎn)業(yè)升級的核心材料，碳化硅在電動汽車車載充電器、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心電源等高功率場景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，其復(fù)雜的制備工藝和供應(yīng)鏈瓶頸導(dǎo)致市場長期面臨供應(yīng)緊張局面。此次合作通過建立標準化封裝體系，允許客戶在兩家公司產(chǎn)品間實現(xiàn)無縫切換，相當(dāng)于為供應(yīng)鏈構(gòu)建了"備份通道"，既增強了設(shè)計靈活性，又降低了因單一供應(yīng)商產(chǎn)能波動帶來的風(fēng)險。

從客戶視角看，這種"可互換性"設(shè)計大幅縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期，提升了采購決策的彈性。以特斯拉、比亞迪為代表的整車廠商，以及逆變器制造商將因此受益，其平臺化產(chǎn)品的全生命周期成本有望顯著降低。戰(zhàn)略層面，盡管雙方在SiC器件市場存在競爭關(guān)系，但通過兼容封裝標準的建立，反而增強了在與下游客戶談判中的議價能力。

技術(shù)互補成為此次合作的核心驅(qū)動力。英飛凌推出的頂部散熱封裝平臺（涵蓋TOLT、D-DPAK、Q-DPAK等系列）采用2.3毫米統(tǒng)一高度設(shè)計，通過優(yōu)化散熱路徑消除了對絕緣金屬基板的依賴，使系統(tǒng)成本降低的同時，功率密度提升最高達兩倍。該技術(shù)特別適用于對空間和效率敏感的電動汽車快充場景，寄生電感的減少還帶來了更低的開關(guān)損耗。

羅姆則貢獻了其獨特的DOT-247半橋模塊技術(shù)，該設(shè)計通過并聯(lián)兩個TO-247封裝實現(xiàn)模塊化，使熱阻降低15%、寄生電感減少50%，功率密度達到傳統(tǒng)方案的2.3倍。配合其第四代溝槽型SiC MOSFET在開關(guān)損耗與短路耐受能力間的平衡優(yōu)化，該技術(shù)特別適用于牽引逆變器和數(shù)據(jù)中心電源等高電流場景。根據(jù)協(xié)議，雙方將相互引入對方的核心技術(shù)，推動封裝標準化的同時，為客戶帶來更豐富的產(chǎn)品選擇。

這種"合作中競爭"的模式預(yù)示著功率半導(dǎo)體行業(yè)的新趨勢。在碳化硅仍處于高速滲透期、供給短缺遠超過剩風(fēng)險的背景下，廠商通過兼容標準、互認封裝等方式擴大市場容量成為必然選擇。英飛凌憑借全球客戶基礎(chǔ)和車規(guī)級可靠性經(jīng)驗，與羅姆在汽車功率半導(dǎo)體市場的深厚積累形成互補，雙方的合作不僅強化了供應(yīng)鏈韌性，更推動了SiC技術(shù)在多場景的加速落地。

值得關(guān)注的是，此次技術(shù)整合不僅限于產(chǎn)品疊加，更實現(xiàn)了封裝理念的深度融合。英飛凌的標準化系統(tǒng)集成思路與羅姆的模塊化功率極限追求相結(jié)合，形成了覆蓋更廣應(yīng)用場景的解決方案矩陣。對于下游客戶而言，統(tǒng)一的封裝高度和模塊化設(shè)計意味著更低的設(shè)計門檻和更高的系統(tǒng)可維護性。據(jù)悉，雙方已計劃將合作范圍擴展至氮化鎵等寬禁帶材料領(lǐng)域，為高頻應(yīng)用提供更多技術(shù)選擇。