光刻機領域的巨頭ASML在2023年末向Intel成功交付了全球首套高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000。這一舉動在當時被業界廣泛認為是對先進芯片研發及下一代處理器生產具有重大意義的里程碑。
然而，時至今日，業界風向似乎有所轉變。多家晶圓代工廠開始減少對High-NA EUV光刻機的依賴，并推遲了其導入計劃。這一變化尤其引起了市場對High-NA EUV光刻機前景的廣泛質疑，其中Intel某位不愿透露姓名的董事的發言更是加劇了這一疑慮。
據該董事透露，新型晶體管設計，如GAAFET和CFET，正在逐步降低芯片制造對先進光刻設備，特別是EUV光刻機的依賴。這些設計側重于通過蝕刻去除多余材料，而非增加晶圓曝光時間來縮小電路尺寸。隨著芯片生產中橫向重要性的提升，High-NA EUV光刻機的重要性顯得不再那么突出。
該董事進一步解釋，像GAAFET和CFET這樣的設計，將顯著增強光刻后制造步驟的重要性，尤其是刻蝕技術。這將削弱光刻在整個芯片制造工藝中的主導地位。通常，芯片制造流程始于光刻，將設計圖案轉移到晶圓上，然后通過沉積添加材料，最后通過刻蝕選擇性去除多余材料，形成晶體管和電路。
他強調，未來的重點可能將從單純依賴光刻機縮小特征尺寸，轉向更為復雜和關鍵的刻蝕工藝，以確保新型三維晶體管結構的精確制造。這一觀點預示著芯片制造技術路線可能面臨重大變革。
實際上，臺積電此前也曾表達過類似看法。他們表示，1.4納米級工藝技術無需High-NA EUV光刻機，且目前尚未找到必須使用它的理由。臺積電的技術團隊正在積極尋找延長現有EUV設備壽命的方法。
ASML最新一代High-NA EUV光刻機作為世界上最先進的光刻設備，單價高達4億美元，其高昂的價格令不少廠商望而卻步。截至目前，ASML已向客戶交付了5臺此類設備，客戶包括Intel和三星。這款光刻機重達180噸，體積龐大如同雙層巴士，被譽為全球最昂貴的半導體制造設備之一。
