臺積電高層張曉強(qiáng)近期透露，公司決定在A14制程技術(shù)上不采用High-NA EUV光刻技術(shù)，而是繼續(xù)沿用現(xiàn)有的EUV光刻設(shè)備。臺積電對此充滿信心，認(rèn)為即便不引入High-NA EUV技術(shù)，A14制程也能在性能、密度及良品率等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。
據(jù)悉，A14制程被視為臺積電下一代半導(dǎo)體技術(shù)的里程碑，它定位于1.4nm級別，遠(yuǎn)超當(dāng)前已大規(guī)模應(yīng)用的3nm工藝及即將面世的2nm工藝。臺積電提供的數(shù)據(jù)顯示，與即將商用的2nm（N2）工藝相比，A14制程在保持相同功耗的情況下，能提供高達(dá)15%的速度增益；或者在保持相同速度的前提下，功耗降低30%，同時邏輯密度提升超過20%。
根據(jù)臺積電的規(guī)劃藍(lán)圖，A14制程預(yù)計將于2028年正式投入生產(chǎn)。臺積電還規(guī)劃了A14的多個衍生版本，包括A14P、A14X和A14C等，以滿足不同市場和客戶的需求。
