近期，臺積電在北美技術論壇上分享了其最新的N2（2納米制程）工藝在缺陷率控制方面的表現，這一消息引起了廣泛關注。與之前推出的7納米、5納米及3納米制程相比，N2工藝在缺陷率上展現出了更為出色的控制能力。
盡管臺積電并未透露具體的缺陷率數據，但會上展示了各制程工藝在不同時間段的缺陷率變化趨勢。值得注意的是，N2工藝是臺積電首次采用GAAFET全環繞晶體管技術的工藝節點，距離其大規模量產預計還有兩個季度的時間，預計年底能夠正式投產。
從試產階段的數據來看，N2工藝的缺陷率與同期的N5（5納米）/N4（4納米）工藝相當，甚至在某些方面略勝一籌，明顯優于N7（7納米）/N6以及N3/N3P（3納米）工藝。在過去的近兩個月里，N2工藝的表現尤為亮眼。回顧歷史數據，N7/N6工藝在試產到量產的半年內，綜合缺陷率一直相對較高，而N3/N3P工藝自量產以來便維持在一個較低的水平。相比之下，N5/N4工藝從試產初期就展現出了極低的缺陷率。
臺積電方面表示，如果N2工藝能夠繼續沿著N5/N4的改善路徑發展，其未來的市場前景將極為廣闊。同時，臺積電還強調了工藝缺陷率下降速度的重要性，這不僅與工藝設計和技術本身有關，還與芯片的生產數量和產能規模密切相關。大規模的生產能夠更快地發現潛在問題，從而及時進行改進。
目前，N2工藝已經完成了大量芯片的流片工作，這是其能夠快速降低缺陷率的關鍵因素之一。隨著生產數量的不斷增加，臺積電有信心進一步優化N2工藝，確保其能夠順利實現大規模量產。
