臺積電在近期于美國舉辦的北美技術論壇2025上，正式揭曉了其全新的1.4nm級工藝——A14。據(jù)臺積電透露，這一工藝預計將在2028年上半年投入量產(chǎn)，且其命名和技術均直接對標了Intel的1.4nm級工藝A14。

臺積電強調(diào)，A14并非過渡型工藝節(jié)點，而是全新升級的一代。與N2 2nm級工藝相比，A14在同等功耗下性能可提升10-15%，在同等性能下功耗可降低25-30%。A14的邏輯晶體管密度最多可提升約23%，芯片密度最多可提升約20%。

在技術層面，A14采用了第二代GAAFET全環(huán)繞納米片晶體管，并引入了新的標準單元架構NanoFlex Pro。這一架構允許在設計芯片時，針對特定的應用或負載，對晶體管配置進行精細調(diào)整，以達到更優(yōu)的性能、功耗和面積（PPA）平衡。

值得注意的是，A14還配備了全新的IP、優(yōu)化和EDA設計軟件。然而，這些與N2P 2nm、A16 1.6nm工藝并不兼容。這意味著，臺積電在推進A14工藝的同時，也在構建一個新的生態(tài)系統(tǒng)。

盡管A14在技術和性能上都有所突破，但遺憾的是，在首發(fā)時并未搭載Super Power Rail（SPR）背部供電網(wǎng)絡（BSPDN）。這一點與臺積電的A16和Intel的A18/A14有所不同，而與其N2、N2P工藝相似。

不過，臺積電已經(jīng)承諾，將在2029年推出A14工藝的升級版，屆時將加入背部供電技術，進一步提升性能。這一升級版目前尚未命名，但有可能會被稱為A14P。未來，還有可能演化出更高性能的A14X和更低成本的A14C。

與此同時，臺積電的A16和N2P工藝也備受關注。據(jù)透露，這兩種工藝預計將在2026年下半年量產(chǎn)。這意味著，臺積電在先進工藝領域的布局正在加速推進。

Intel代工業(yè)務自去年2月成立以來，也一直在積極推進其1.4nm級工藝A14的研發(fā)。據(jù)Intel透露，他們將在業(yè)界首次采用全新的High NA EUV光刻機，并預計在2026年左右推出這一工藝。屆時，臺積電和Intel將在先進工藝領域再次展開激烈競爭。

隨著臺積電和Intel在先進工藝領域的不斷突破和競爭，全球半導體產(chǎn)業(yè)也將迎來更加激烈的變革。未來，誰能在這一領域占據(jù)領先地位，將取決于其技術實力、市場布局和創(chuàng)新能力。