英特爾在近期舉辦的2025年VLSI研討會上，詳細披露了其最新的18A制程節點技術，標志著半導體領域的又一大步邁進。此番技術展示，明顯劍指臺積電2nm制程，競爭態勢顯著。
英特爾18A制程技術的核心在于兩項革命性創新：RibbonFET環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。RibbonFET技術通過全環繞柵極設計，實現了對電流前所未有的精準控制，進而大幅提升了晶體管的性能和能效。而PowerVia技術更是業界的一大突破，它將供電線路巧妙地轉移到了芯片的背面，此舉不僅為正面布線騰出了更多空間，還顯著提高了單元封裝密度和電力傳輸的穩定性。
在PPA（性能、功耗、面積）的衡量標準下，Intel 18A制程展現出了卓越的表現。在基于標準Arm核心架構的芯片測試中，相較于以往，該制程在1.1V電壓下實現了25%的速度提升和36%的功耗降低。同時，其面積利用率也高于前代Intel 3制程，預示著更高的面積效率和更高密度設計的可能性。
市場分析顯示，Intel 18A制程的性能值達到了2.53，略高于臺積電的N2制程的2.27。盡管在晶體管密度方面，Intel 18A可能稍遜于臺積電，但憑借PowerVia背面供電技術的創新，Intel 18A在面積效率和電力傳輸穩定性方面展現出了顯著優勢。TechInsights的分析同樣證實了Intel 18A在性能上的領先地位。
據悉，英特爾計劃首先在Panther Lake SoC和面向高性能計算的Xeon Clearwater Forest產品中采用Intel 18A制程。市場預測，搭載該制程的終端產品最早將于2026年面世。若良率問題得以妥善解決，Intel 18A制程有望成為臺積電2nm制程的有力對手，并在云計算、人工智能等領域助力英特爾市場份額的進一步增長。
