【ITBEAR科技資訊】4月1日消息，近日，據權威外媒Semiconductor Engineering報道，在備受矚目的行業盛會Memcon 2024上，三星電子透露了其雄心勃勃的計劃：預計在2025年后，引領業界率先邁入3D DRAM內存新紀元。
隨著DRAM內存行業不斷將線寬推至10納米以下的極限，當前的設計方案正面臨前所未有的挑戰。在此背景下，業界紛紛將目光投向了包括3D DRAM在內的創新型內存設計，以期突破技術瓶頸。
在Memcon 2024的演講中，三星向與會者展示了其在3D DRAM內存領域的兩項革命性技術：垂直通道晶體管(Vertical Channel Transistor)與堆疊DRAM(Stacked DRAM)。相較于傳統的水平溝道晶體管，垂直通道晶體管通過改變溝道方向，實現了器件面積的顯著縮減，盡管這同時也對刻蝕工藝的精度提出了更高的要求。
另一方面，堆疊DRAM技術的亮相同樣引人注目。該技術通過充分利用z軸空間，使得在有限的芯片面積內能夠容納更多的存儲單元。據三星公布的數據顯示，采用堆疊DRAM技術后，單芯片的存儲容量有望提升至驚人的100G以上。
據ITBEAR科技資訊了解，三星對于3D DRAM市場的未來充滿了信心。據市場分析師預測，到2028年，3D DRAM市場的規模有望達到驚人的1000億美元(折合人民幣約7240億元)。為了在這場激烈的競爭中搶占先機，三星已于今年初在美國硅谷設立了全新的3D DRAM研發實驗室，旨在匯聚全球頂尖科研力量，共同推動3D DRAM技術的突破與創新。
三星的這一系列舉措無疑向外界傳遞了一個明確的信號：在即將到來的3D DRAM時代，三星將繼續保持其在內存領域的領先地位，并致力于推動整個行業的持續進步與發展。
