在人工智能技術(shù)飛速發(fā)展的當下，存儲性能已成為制約AI運算效率的關(guān)鍵因素之一。近日，全球知名存儲芯片制造商SK海力士宣布，正與AI芯片巨頭英偉達聯(lián)合開發(fā)新一代AI存儲解決方案，旨在突破現(xiàn)有技術(shù)瓶頸，滿足大規(guī)模AI應用對數(shù)據(jù)吞吐的嚴苛需求。

據(jù)行業(yè)消息透露，雙方合作的核心項目代號為"AI-N P"，屬于SK海力士"AIN Family"產(chǎn)品線的性能型方案。該技術(shù)通過重構(gòu)NAND閃存與控制器的架構(gòu)設計，重點解決AI運算過程中數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t問題。目前主流企業(yè)級SSD的IOPS（每秒讀寫次數(shù)）約為300萬次，而SK海力士計劃在2026年底推出的首款樣品將支持高達2500萬IOPS，性能提升達8-10倍。

技術(shù)團隊透露，第二代產(chǎn)品的研發(fā)工作已同步啟動，目標是在2027年底將性能指標推升至1億IOPS，較現(xiàn)有產(chǎn)品實現(xiàn)30倍以上的跨越。這種指數(shù)級提升將有效緩解存儲系統(tǒng)在處理海量AI數(shù)據(jù)時的性能瓶頸，確保GPU等計算單元的算力得到充分釋放。

為構(gòu)建完整的AI存儲解決方案，SK海力士正在開發(fā)包含性能型（AI-N P）、帶寬型（AI-N B）和容量型（AI-N D）的三大產(chǎn)品矩陣。其中與英偉達聯(lián)合進行的概念驗證（PoC）項目，重點優(yōu)化大規(guī)模數(shù)據(jù)吞吐場景下的能效表現(xiàn)。通過針對性算法優(yōu)化，新方案可顯著降低存儲系統(tǒng)在處理AI訓練數(shù)據(jù)時的延遲，為端側(cè)AI和數(shù)據(jù)中心提供更高效的存儲支持。

在高帶寬存儲領(lǐng)域，SK海力士與閃迪的合作取得重要進展。雙方共同推進的"AI-N B"標準化工作，旨在開發(fā)類似HBM（高帶寬內(nèi)存）架構(gòu)的HBF（高帶寬閃存）技術(shù)。該方案通過垂直堆疊NAND閃存單元，可實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸帶寬的指數(shù)級擴展。據(jù)項目負責人介紹，AI-N B的Alpha版本將于2026年1月完成開發(fā)，2027年推出正式評估樣品，這為AI存儲架構(gòu)創(chuàng)新提供了全新技術(shù)路徑。

行業(yè)分析師指出，隨著生成式AI等大模型應用的普及，數(shù)據(jù)中心對存儲性能的需求正以每年超過50%的速度增長。SK海力士此次布局的三大技術(shù)方向，分別針對不同應用場景的性能需求，有望重新定義AI時代的存儲標準。特別是與英偉達的深度合作，將加速新技術(shù)從實驗室到商用化的轉(zhuǎn)化進程。