存儲芯片市場正經歷一場前所未有的漲價風暴，自年初啟動的漲勢進入第四季度后愈發猛烈，產業鏈上下游企業均感受到強烈沖擊。據存儲行業人士透露，部分國際原廠已暫停DRAM和Flash產品的常規報價機制，即便提供報價，有效期也縮短至以日為單位，價格波動幅度令市場瞠目。
這場價格異動迅速傳導至國內市場。江波龍證券部相關負責人透露，公司因提前儲備存貨，上游漲價反而提升了毛利率水平。普冉股份則面臨供給緊張局面，其證券部人士表示正與下游客戶協商產品價格調整方案。作為分銷環節代表的香農芯創則指出，上游采購成本上漲已同步傳導至終端，但分銷業務毛利率受銷量波動影響更顯著。
數據印證了市場的劇烈震蕩。CFM閃存市場監測顯示，DDR4 16Gb 3200現貨價格單周暴漲30%至13美元，512Gb Flash Wafer十月累計漲幅超20%。TrendForce分析師許家源預測，第四季度DRAM整體價格（含HBM）將季增13%-18%。這種全產業鏈的持續性漲價被業內稱為"超級周期"，資本市場反應強烈，10月24日A股存儲板塊集體爆發，普冉股份、香農芯創漲停，佰維存儲等漲幅超10%。
驅動這場變革的核心力量來自AI技術突破。隨著ChatGPT等大模型迭代，全球云服務商開啟瘋狂囤貨模式。OpenAI"星際之門"項目每月消耗的DRAM晶圓量接近全球產能的40%，單臺AI服務器存儲需求是傳統設備的5-20倍，且必須配置高帶寬內存（HBM）。HBM3E帶寬達1.2TB/s，單價較前代提升60%-70%，這種"量價齊升"的需求徹底顛覆了傳統供需格局。
存儲巨頭迅速調整產能布局。三星計劃2025年底全面停產DDR4，SK海力士將該產品線產能壓縮至20%，美光等企業同步削減舊制程產品供應。由于HBM晶圓消耗量是標準DRAM的三倍以上，產能轉向導致DDR4、LPDDR4X等傳統產品供應吃緊。今年三月以來，金士頓DDR4臺式機內存條價格已翻番，終端市場隨之波動，Redmi K90系列手機部分版本售價上調100-400元，小米集團總裁盧偉冰直言存儲成本壓力遠超預期。
面對行業劇變，國內產業鏈各環節展開差異化應對。模組廠商普遍采取囤貨策略，八月起密集儲備顆粒及晶圓庫存，并同步上調產品定價。朗科科技則反其道而行之，通過"清庫存"模式降低業績波動。芯片設計企業依賴價格傳導機制，普冉股份正與下游協商漲價方案。分銷商香農芯創表示，采購成本上漲已同步傳導至終端，但毛利率受銷量影響更明顯。國際原廠漲價潮反而為國內晶圓廠創造機遇，部分國產廠商開始轉向本土供應鏈。
在這場技術革命中，國產廠商加速布局高附加值領域。企業級SSD供應量顯著提升，HBM、先進封裝及服務器DDR5成為重點突破方向。賽騰股份的HBM檢測設備已獲海外大客戶認可并批量出貨，國內市場開拓同步推進。中微公司在先進封裝領域完成全產業鏈布局，涵蓋刻蝕、CVD、PVD及晶圓量檢測設備，CCP刻蝕及TSV深硅通孔設備已正式發布。佰維存儲的晶圓級先進封測項目進入投產準備階段，項目完成后將提供"存儲+封測"一站式解決方案。
行業分析師指出，隨著原廠HBM產能逐步釋放，2026年HBM3e可能面臨供過于求，但技術門檻更高的HBM4仍將保持緊缺狀態。在這場全球存儲產業變革中，積極布局的國產廠商有望提升市場地位，推動產業進入新的發展階段。
