在新型半導體研究的廣闊天地里，北京大學與麻省理工學院的兩支團隊猶如璀璨雙星，引領著科研前沿。而在這其中，姜建峰，一位從北京大學博士畢業、現于麻省理工學院進行博士后研究的年輕科學家，正以他的卓越成就吸引著全球目光。

姜建峰的科研之旅始于硒化銦半導體，這一領域的研究不僅挑戰重重，更承載著突破摩爾定律極限的希望。早在2023年，他便以第一作者身份在《自然》雜志上發表了關于彈道輸運硒化銦晶體管的研究成果，首次在單個器件層面實現了能效超越硅基技術，這一突破性進展為二維器件能否超越硅這一科學問題提供了實驗答案。

而他的腳步并未停歇，在最新一期的《科學》雜志上，姜建峰再次以通訊作者兼共同第一作者的身份發表了關于晶圓級集成硒化銦半導體的重要論文。此次研究，他與北京大學劉開輝教授團隊及秦彪博士攜手，成功攻克了硒化銦半導體集成制造的難題，將二維硒化銦器件從“單器件”推向“晶圓級平臺”，實現了大面積、可集成的二維電子器件，為后摩爾時代的芯片技術開辟了新路徑。

姜建峰的科研生涯，幾乎與硒化銦半導體研究同步成長。自2016年踏入這一領域，他見證了硒化銦從實驗室概念到有望實現大規模集成的全過程。從2019年發表首篇關于硒化銦電子器件的論文，到2023年實現器件性能的歷史性突破，再到2025年完成硒化銦集成化的關鍵跨越，每一步都凝聚了他的智慧與汗水。

二維半導體，作為被寄予厚望的“后摩爾時代”接力技術，以其更薄、更快、更高的工藝兼容性，展現出打破傳統硅基芯片瓶頸的潛力。然而，理想與現實之間總是存在距離。二維半導體在物理本征性能、制備質量及工藝可控性方面面臨的挑戰，使得其全面超越先進硅基技術仍顯艱難。同時，大面積、高一致性、可靠的集成制造也是一道亟待跨越的鴻溝。

姜建峰深知，科研的道路從不是一帆風順。在硒化銦的研究中，他面對了接觸界面和柵極堆疊結構等關鍵瓶頸，通過不斷嘗試與創新，最終在2023年的《自然》論文中取得了性能突破。然而，機械剝離法雖然能獲得高質量的硒化銦晶體樣品，卻難以實現大面積、可控產出的制備過程，限制了其在大規模集成電路中的實用性。

面對挑戰，姜建峰從未退縮。在最新發表于《科學》的論文中，他與團隊攻克了晶圓級硒化銦二維材料制備與集成的關鍵難題，實現了從“毫米量級”到“晶圓尺寸”的重大跨越。這一成果不僅保留了材料本征優異的電學性能，更在核心指標上實現了突破，為二維半導體在超低功耗芯片中的應用前景打開了大門。

姜建峰的科研成就，不僅贏得了業界的廣泛關注，更收到了英特爾公司以及美國半導體研究聯盟的演講邀請。他的研究成果，被半導體芯片制造公司和機構列為年度芯片器件重大進展，并在國際頂級會議上受到專題報道。這一切，都是對他科研實力的最好證明。

姜建峰的科研之路，是一條不斷探索與創新的旅程。他深知，科研是向內扎根，而最終的目標，是將這些走在世界前沿的研究真正轉化為產業線上的產品，讓論文中的“先進制程”走進未來的芯片工廠。他計劃將自己的積累轉化為中國“芯”的一份力量，親自去試一試，看能否把二維電子器件從實驗室帶上產業線。