近期，半導體行業傳來重要進展，英飛凌公司宣布其12英寸晶圓上的氮化鎵（GaN）生產技術取得了突破性進展，并預計將于2025年第四季度向客戶交付首批樣品。這一消息標志著英飛凌在GaN半導體領域邁出了關鍵一步。
英飛凌以其垂直整合制造商（IDM）的身份自豪，強調其生產策略能夠帶來更高品質的產品、更快的上市速度以及卓越的設計與開發靈活性。這種策略無疑為英飛凌在半導體市場上贏得了更多競爭優勢。
在技術層面，英飛凌掌握了在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）三種關鍵材料上進行300mm晶圓生產的核心技術。其中，GaN半導體以其高功率密度、快速開關速度和低功率損耗等特點，成為實現電子設備小型化和高效能的關鍵。例如，GaN半導體能夠顯著降低智能手機充電器、太陽能逆變器以及工業設備和人形機器人的能耗和發熱量。
尤為英飛凌是全球首個成功在現有基礎設施上開發出300mm GaN晶圓技術的半導體制造商。與當前主流的200mm晶圓相比，300mm晶圓的生產技術更加先進，效率更高。由于晶圓直徑的增大，每片300mm晶圓的芯片產量比200mm晶圓提高了2.3倍，這無疑將大幅提升生產效率。
另一方面，晶圓代工巨頭臺積電近日傳出將退出GaN晶圓代工市場的消息。據臺積電向DigiTimes證實，經過深思熟慮，基于市場狀況和公司長期戰略考量，決定在未來兩年內逐步退出GaN晶圓代工業務。臺積電表示，正積極與客戶溝通，確保在過渡期內順利完成業務交接，以最大程度減少對市場的影響。
