近期，臺灣媒體《電子時報》披露了一則關于三星電子內存產品策略調整的重要消息。據稱，隨著三星電子在DRAM內存制程工藝上的戰略性升級，多款依賴老舊1y nm（即第二代10nm級別）工藝的DDR4內存條即將告別市場。
多家供應鏈企業已接到產品EOL（生命周期結束）通知，表明這些采用1y nm工藝制造的8GB或16GB容量的DDR4 SODIMM/UDIMM內存條，其最后訂購期限被設定為今年6月上旬，而最終出貨時間則定于2025年12月10日。
報道進一步指出，三星電子正加速推進其DRAM內存生產線的更新換代，重點轉向DDR5、HBM等新型號產品。這一轉變意味著，與老舊制程緊密相連的DDR3、DDR4產品正逐步退出歷史舞臺。
值得注意的是，三星電子已于2024年第二季度停止生產DDR3產品。與此同時，1y nm DDR4的產能占比也在迅速下降，預計從去年的約20%縮減至今年下半年的不足一成。而更先進的1z nm DDR4產品，其停產時間也被提前規劃至2027年。
這一系列舉措不僅反映了三星電子在內存技術上的持續創新，也預示著整個內存市場將迎來新一輪的迭代與升級。對于消費者和行業觀察者而言，這無疑是一個值得密切關注的動態。
