國際固態電路會議（ISSCC）即將于明年2月15日至19日在美國舊金山拉開帷幕，這場以企業研究人員為主力參會者的技術盛會，歷來是存儲領域前沿成果的集中展示平臺。據行業消息透露，三星電子與SK海力士兩大存儲巨頭均計劃在此次會議上發布重磅新品，相關技術已接近量產階段。
三星電子此次將重點展示其最新研發的HBM4存儲芯片。該產品延續了36GB的超大容量設計，但帶寬指標較上月展示的版本實現顯著突破，達到3.3TB/s。技術團隊通過優化堆疊結構與接口設計，在提升傳輸速度的同時降低了能耗。特別值得關注的是，三星在每個數據通道中引入了硅通孔（TSV）路徑的對準信號（TDQS）自動校準技術，這項創新可有效提升高速傳輸時的信號精度，尤其針對AI大模型訓練等數據吞吐量巨大的應用場景進行了針對性優化。
競爭對手SK海力士則采取雙線并進的策略，計劃同時發布兩款革命性存儲產品。其新一代LPDDR6內存將單Pin速率推升至14.4Gb/s，通過搭載基于低壓差穩壓器（LDO）的WCK時鐘分配架構，確保在超高速運行狀態下的信號穩定性。與前代LPDDR5X相比，性能提升幅度相當可觀。另一款GDDR7顯存則展現出更強的技術突破性，單Pin速度最高可達48Gb/s，容量配置為24Gb。該產品的核心創新在于支持通道分割技術，可將單個數據通道拆分為兩個獨立部分，實現讀寫操作的同步進行，這種設計對GPU加速、AI邊緣計算以及高分辨率游戲等場景具有重要價值。
行業分析師指出，兩大廠商選擇在ISSCC這個時間節點集中發布新品并非偶然。作為全球存儲技術的重要風向標，該會議的參會者構成決定了其展示內容具有極強的產業指向性。企業研究人員占比超過七成的參會結構，使得這里成為新技術從實驗室走向量產前的關鍵展示窗口。隨著AI算力需求的持續攀升，存儲芯片的性能競賽已進入白熱化階段，此次展示的技術突破或將重新定義高端存儲市場的競爭格局。
