根據TechInsights提供的數據,用于各種應用的DRAM現貨價格在4月份同比僅上漲4%之后,9月份已較去年同期上漲了近兩倍。這一輪強勁的價格上漲,不僅反映了市場供需格局的深刻變化,更凸顯了技術創新在當前行業周期中的核心價值。
2025年9月,全球半導體器件領域的頂級學術會議——國際電子器件大會(IEDM)論文錄用名單正式揭曉。國內DRAM制造龍頭長鑫科技,憑借在3D FeRAM與采用后端工藝集成的新型多層堆疊DRAM架構上的兩項突破性研究成果成功入選,論文數量位居國內企業第一。
國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM)是由IEEE主辦的微電子器件領域年度學術會議,始于1955年,擁有七十多年歷史。是全球半導體器件領域最頂尖的學術會議之一,被譽為該領域的“奧林匹克盛會”。
今年,中國內地機構在本屆IEDM的論文覆蓋了全部九大技術方向中的六個,不僅在入選數量上實現全面提升,其全球占比也同步增長,顯示出整體研究實力與影響力的持續增強。中國內地機構(含高校、科研院所及企業)的入選論文共涉及本屆IEDM設置的32個關鍵技術Session,占全部Session的76.2%,研究范圍全面覆蓋先進邏輯技術(ALT)、新興器件與計算(EDT)、存儲器技術(MT)等重要方向。
按第一作者單位統計,北京大學以21篇入選論文領跑中國內地高校與科研機構,中國科學院微電子研究所(8篇)與清華大學(6篇)緊隨其后。企業方面,長鑫科技以2篇入選論文位居首位,杭州領摯科技與蘇州能訊高能半導體各以1篇并列其后,顯示出本土企業在關鍵器件方向的初步突破。
本次長鑫科技展示的3D FeRAM方案實現了單片集成的堆疊式鐵電電容結構,利用鐵電材料的非易失特性,在單元層面實現了數據斷電保存功能,同時通過三維堆疊工藝提升了存儲密度。鐵電存儲器因其讀寫速度接近DRAM、功耗接近NAND的特性,被視為潛在的新型存儲解決方案。
在DRAM技術方向上,長鑫科技提出了可在后端工藝線(BEOL)集成的多層堆疊DRAM架構。該技術突破了傳統DRAM僅能在晶圓前道工藝制造的局限,通過在后道工序中直接構建存儲單元,實現了存儲陣列與邏輯電路的三維集成。這一路徑若成熟,有望為存算一體架構和異構集成提供新的硬件基礎。
長鑫科技的技術護城河源于其持續的研發投入與專利資產。較高的研發人員占比及13,449項專利的堅實積累(位列集微咨詢《2024年中國大陸半導體制造企業專利榜單》第二),是長鑫突破國內DRAM產業空白的關鍵。在此基礎上,公司對長鑫的技術和產品實力也頗為認可,據公開信息,目前長鑫主要客戶包括小米、OPPO、傳音、vivo等頭部企業,并服務器、物聯網等高增長賽道。由于掌握DRAM這一具有大宗產品屬性的產業命脈,長鑫的本土化服務與先發優勢,為其快速提升市場份額奠定了堅實基礎。
隨著中國在全球半導體領域的技術實力不斷彰顯,長鑫科技為后續本土企業在半導體核心技術領域的攻堅提供了寶貴的參考范本。
