近期，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺積電向美國商務(wù)部提出了一項重要請求，希望豁免于即將實施的芯片進口關(guān)稅。這一呼吁的背后，是臺積電對美國亞利桑那州大規(guī)模擴建計劃的深切關(guān)注，以及對于美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位的維護。

據(jù)臺媒CNA報道，臺積電已正式向美國商務(wù)部提交申請，請求將半導(dǎo)體進口排除在《貿(mào)易擴展法》第232條款的新關(guān)稅清單之外。臺積電指出，若對芯片進口加征關(guān)稅，將嚴(yán)重抑制下游需求，進而對美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位構(gòu)成威脅。這一請求是通過臺積電亞利桑那州子公司在美國商務(wù)部就潛在貿(mào)易措施征詢意見期間提交的。

臺積電強調(diào)，關(guān)稅導(dǎo)致的價格上漲將直接影響終端產(chǎn)品的芯片需求，進而削弱亞利桑那州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的經(jīng)濟價值。臺積電還指出，許多關(guān)鍵的設(shè)備和材料在美國本土無法獲取，因此要求繼續(xù)享有進口海外設(shè)備和材料的免稅通道，以支持其在美國的重大半導(dǎo)體產(chǎn)能。

目前，臺積電在亞利桑那州鳳凰城的投資項目已初見成效，總投資額達(dá)650億美元，包括三座晶圓廠。其中，首座晶圓廠已開始量產(chǎn)，專注于4nm節(jié)點；第二座晶圓廠即將竣工，將提供3nm和2nm的產(chǎn)能，預(yù)計于2028年開始生產(chǎn)；而第三座晶圓廠則于上月正式破土動工，目標(biāo)直指2nm及更先進的制程技術(shù)。

不僅如此，臺積電在今年3月還宣布了追加1000億美元投資的計劃，旨在亞利桑那州再建三座晶圓廠、兩座先進封裝廠和一個研發(fā)中心。這一追加投資使得臺積電在亞利桑那州的總投資額達(dá)到了驚人的1650億美元。據(jù)臺積電提交的文件顯示，當(dāng)六座晶圓廠全部投產(chǎn)后，亞利桑那州基地的月產(chǎn)能將達(dá)到10萬片晶圓，約占臺積電2nm及更先進制程預(yù)計產(chǎn)能的30%。

臺積電進一步預(yù)估，其在美國的項目將帶動高達(dá)2000億美元的間接經(jīng)濟活動，并創(chuàng)造數(shù)萬個就業(yè)崗位。然而，這些經(jīng)濟收益的實現(xiàn)，在很大程度上依賴于一個可預(yù)期的免稅供應(yīng)鏈體系。因此，臺積電呼吁美國商務(wù)部能夠充分考慮其請求，確保半導(dǎo)體進口的免稅待遇，以支持其在美擴建計劃的順利進行，并維護美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球領(lǐng)先地位。