SK 海力士近日宣布了一項重大技術突破，成功研發出搭載全球最高堆疊層數的321層1Tb TLC 4D NAND閃存的移動端解決方案——UFS 4.1。這一創新成果標志著SK 海力士在移動存儲技術領域邁出了重要一步。
據SK 海力士介紹，為了滿足移動設備端側AI穩定運行的需求，此次推出的NAND閃存解決方案不僅具備卓越的性能，還實現了低功耗。通過這款專為AI工作負載優化的UFS 4.1產品，SK 海力士旨在進一步強化其在旗艦智能手機市場的技術領先地位。
隨著端側AI需求的不斷增長，終端設備在計算性能與電池效率之間的平衡變得愈發關鍵。超薄設計和低功耗已成為當今移動設備行業的核心標準。SK 海力士此次推出的新品正是順應了這一趨勢。
與上一代基于238層NAND閃存的產品相比，新品在能效方面提升了7%。同時，在產品設計上，SK 海力士成功將產品厚度從1mm減薄至0.85mm，使其完美適配超薄智能手機的需求。
在數據傳輸方面，該產品支持第四代UFS產品的順序讀取峰值，速率高達4300MB/s。尤為其隨機讀取和寫入速度相較于上一代產品分別提升了15%和40%，達到了UFS 4.1產品中的全球頂尖水平。這一提升對于移動設備的多任務處理能力具有重要意義。
為了滿足不同用戶的需求，該產品提供了512GB和1TB兩種容量規格。SK 海力士表示，計劃在今年內向客戶交付樣品進行驗證，并預計將于明年第一季度正式進入量產階段。這一創新產品的推出，無疑將為智能手機市場帶來新的活力和可能性。
