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英特爾18A-PT芯片工藝來襲,14A節點緊跟其后,3D封裝技術有新突破

   時間:2025-04-30 01:02:24 來源:ITBEAR編輯:快訊團隊 發表評論無障礙通道

英特爾新任首席執行官陳立武在近期于美國加州圣何塞舉辦的Intel Foundry Direct Connect 2025活動中,向公眾展示了公司在晶圓代工業務方面的最新進展。

在活動中,陳立武透露了一個振奮人心的消息:公司正在與多家潛在客戶進行深入溝通,準備推出全新的14A工藝節點(相當于1.4納米),這一技術將作為18A工藝節點的后續升級版本。

他進一步表示,英特爾已經吸引了幾個重要客戶參與14A測試芯片的研發。這些測試芯片將搭載英特爾最新研發的PowerDirect背面電源傳輸技術,該技術有望大幅提升芯片的性能和能效。

關于18A工藝節點,陳立武也給出了積極的進展報告。他指出,目前18A節點已經順利進入風險生產階段,并預計在今年晚些時候進入大規模量產。這一消息無疑為英特爾在先進制程技術上的領先地位再添一份保障。

陳立武還透露了18A-P(即18A節點的性能版本)的最新進展。他表示,目前18A-P已經在晶圓廠中成功運行,并已經生產出早期的晶圓。這一消息進一步增強了市場對英特爾在先進制程技術上的信心。

除了14A和18A節點外,英特爾還在積極研發新的18A-PT版本。這一版本將支持Foveros Direct 3D技術,采用混合鍵合互連,使得英特爾能夠在其最先進的節點上實現晶圓的垂直堆疊。這一技術的發展對于提升芯片的性能和容量具有重要意義。

Foveros Direct 3D技術還使得英特爾能夠與競爭對手臺積電在功能上相媲美。最典型的例子就是AMD的3D V-Cache產品,而英特爾在關鍵互連密度測量方面的實現也達到了與臺積電相當的水平。

在成熟節點方面,英特爾也取得了顯著的進展。目前,公司已經成功量產了首個16nm晶圓,并與聯電合作開發12nm節點。這一合作不僅有助于提升英特爾在成熟節點上的產能和效率,還將為客戶提供更多樣化的選擇。

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