英特爾在近期舉辦的2025年VLSI研討會上，深入分享了其前沿的Intel 18A制程技術的詳細信息。這項技術不僅在性能上實現了顯著提升，還在設計易用性方面邁出了重要一步。
據悉，Intel 18A制程推出了高性能（HP）和高密度（HD）兩種庫，兩者均配備了全面的技術設計功能和增強的易用性。在關鍵的PPA（性能、功耗、面積）指標上，Intel 18A制程在標準Arm核心架構的芯片上，以1.1V的電壓實現了令人矚目的25%速度提升和36%功耗降低。這一突破性的表現，無疑為未來的芯片設計提供了新的可能性。
與Intel 3制程相比，Intel 18A在面積利用率上有了顯著提升。這意味著，采用Intel 18A制程的芯片可以在更小的面積內實現更復雜的設計，從而提高了整體的設計效率和密度。
英特爾在其官方資料中透露，Intel 18A制程采用了RibbonFET環繞柵極晶體管（GAA）技術，這一技術可以實現對電流的精確控制。同時，該技術還結合了業界首創的PowerVia背面供電技術，進一步提升了電力傳輸的穩定性和效率。英特爾還展示了電壓下降圖，以證明在高性能條件下，Intel 18A制程的節點穩定性得到了顯著提升。
通過背面供電技術的運用，英特爾實現了更緊密的單元封裝，并顯著提高了面積效率。這一改進主要得益于背面供電技術相比正面布線釋放了更多的空間，使得芯片設計更加緊湊和高效。
從當前披露的信息來看，如果Intel 18A制程的良率能夠達到預期，它將成為臺積電2nm制程的有力競爭對手。這一制程技術的推出，將有望推動整個半導體行業的技術進步和發展。
據市場預測，Intel 18A制程將首先應用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU。預計最早在2026年，消費者就有可能見到采用這一先進制程技術的終端產品。這將為消費者帶來更加高效、節能和強大的計算體驗。
